[实用新型]一种功率MOSFET器件静电保护结构有效
| 申请号： | 201520646587.3 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN204927285U | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陆怀谷 | 申请（专利权）人： | 深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/60 | 分类号： | H01L23/60;H01L29/78 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率MOSFET器件静电保护结构，所述静电保护结构位于栅极打线区域下方空旷区域。若所述功率MOSFET器件是NMOS管，所述静电保护结构依次包括P型注入区、N型注入区和静电保护结构引出接触孔。若所述功率MOSFET器件是PMOS管，所述静电保护结构依次包括N型注入区、P型注入区和静电保护结构引出接触孔。本实用新型在增加静电保护结构的同时，不会对圆胞区产生任何的影响，在相同面积尺寸下，加入了静电保护结构后，产品的其他特性均不会发生改变。实现了功率MOSFET器件的抗静电保护能力的同时对芯片整体的面积，圆胞区域等均未有任何影响。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 mosfet 器件 静电 保护 结构 | ||
【主权项】：
一种功率MOSFET器件静电保护结构，其特征在于，所述静电保护结构位于栅极打线区域下方空旷区域，所述功率MOSFET器件是NMOS管，所述静电保护结构依次包括P型注入区、N型注入区和静电保护结构引出接触孔，或者所述功率MOSFET器件是PMOS管，所述静电保护结构依次包括N型注入区、P型注入区和静电保护结构引出接触孔。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司，未经深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520646587.3/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：一种镜面铝基板日光灯管
- 下一篇：基于带电池和显示屏的智能卡封装结构
