[实用新型]一种SOI横向功率器件耐压结构有效
| 申请号： | 201520648848.5 | 申请日： | 2015-08-25 |
| 公开（公告）号： | CN204905261U | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 李天倩;马波;阳小明;陈洪源;杜晓风 | 申请（专利权）人： | 西华大学 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/868;H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京方圆嘉禾知识产权代理有限公司 11385 | 代理人： | 董芙蓉 |
| 地址： | 610039 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种SOI横向功率器件耐压结构，包括衬底层、埋氧层、有源层，埋氧层设置于衬底层与有源层之间，在埋氧层和衬底层之间设有掺杂层，掺杂层的浓度从源到漏逐渐减小。本实用新型所公开的耐压结构有效提高器件动态耐压，降低比导通电阻和开关功耗以及器件工作温度，在高压、高频智能功率集成电路等领域具有广泛的适用性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 soi 横向 功率 器件 耐压 结构 | ||
【主权项】：
一种SOI横向功率器件耐压结构，其特征在于包括衬底层、埋氧层、有源层，埋氧层设置于衬底层与有源层之间，在埋氧层和衬底层之间设有掺杂层，掺杂层的浓度从源到漏逐渐减小。
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