[实用新型]NPN型大电流高增益达林顿晶体管

摘要

本实用新型提供一种汽车空调调速装置用NPN型大电流高增益达林顿晶体管，此产品为两个芯片组合的金封管，芯片包括一N型衬底，形成于N型衬底背面的背面金属层；在N型衬底的正面形成有相互隔离的前级晶体管T1的P型基区和后级晶体管T2的P型基区；在前级晶体管T1的P型基区内形成有前级晶体管T1的N+型发射区；在后级晶体管T2的P型基区内形成有后级晶体管T2的N+型发射区；在N型衬底的正面覆盖有氧化层；N型衬底的正面氧化层之上还形成有连接前级晶体管T1的N+型发射区和后级晶体管T2的P型基区的连接金属层。该双电阻达林顿晶体管具有热稳定性好，开关时间速度快、抗烧毁性强、放大倍数大等特点。

主权项

一种NPN型大电流高增益达林顿晶体管，包括一N型衬底，其特征在于，还包括：形成于N型衬底背面的背面金属层(1)，用于形成前级晶体管T1和后级晶体管T2共接的集电极；在N型衬底的正面形成相互隔离的前级晶体管T1的P型基区(5)和后级晶体管T2的P型基区(4)；在前级晶体管T1一侧隔离区为V型隔离槽(12)，在前级晶体管T1的P型基区(5)内形成有前级晶体管T1的N+型发射区(6)；在后级晶体管T2的P型基区(4)内形成有后级晶体管T2的N+型发射区(7)；在T1的P型基区(5)和T2的P型基区(4)之间形成P型基区沟道电阻(14)；在P型基区沟道电阻(14)内形成有发射区扩散环(15)；在N型衬底的正面覆盖有氧化层(8)；基区沟道电阻(14)用于形成前级晶体管T1的BE间的电阻R1；N型衬底正面的氧化层(8)之上还形成有连接前级晶体管T1的N+型发射区(6)和后级晶体管T2的P型基区(4)的连接金属层(13)；在前级晶体管T1的P型基区(5)上方的衬底正面设有前级晶体管T1基极金属层(11)，用于形成T1管的基极；在后级晶体管T2的N+型发射区(7)上方的衬底正面设有后级晶体管T2发射极金属层(10)，用于形成T2管的发射极；后级晶体管T2的P型基区(4)上方覆盖有后级晶体管T2基极金属层(16)，后级晶体管T2基极金属层(16)与连接金属层(13)相连，通过后级晶体管T2氧化层下P型基区(4)与T2的N+型发射区(7)形成后级晶体管T2的BE间电阻R2；在N型衬底的正面外侧一圈覆盖有钝化层(9)。