[实用新型]光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜有效
| 申请号： | 201520676641.9 | 申请日： | 2015-09-04 |
| 公开（公告）号： | CN204857740U | 公开（公告）日： | 2015-12-09 |
| 发明（设计）人： | 钟文武;李志刚;刘彦平;詹白勺 | 申请（专利权）人： | 台州学院;钟文武;詹白勺 |
| 主分类号： | H01L31/0296 | 分类号： | H01L31/0296;H01L21/368;H01L21/02;B82Y30/00;B82Y40/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 318000 浙*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及光电子学技术领域，尤其涉及一种用于光电子器件用的ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜，它包括有从内至外依次结合的玻璃衬底层、ZnO种子层、ZnO纳米棒层、ZnS纳米棒层，ZnO种子层涂覆在以玻璃衬底层为基底的光洁表层上，ZnO纳米棒层有序生长在ZnO种子层上呈纳米棒状结构，ZnS纳米棒层生长在ZnO纳米棒层上形成异质结。本实用新型的ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜，采用水热合成方法在ZnO种子层上生长一层ZnO纳米棒有序阵列薄膜结构，具有工艺简单、操作方便、制备温度较低、产品性能优良、适于工程化应用等优点。 | ||
| 搜索关键词： | 光电子 器件 zno zns 异质结 纳米 阵列 | ||
【主权项】：
一种光电子器件ZnO/ZnS异质结纳米阵列膜，其特征在于：它包括有从内至外依次结合的玻璃衬底层、ZnO种子层、ZnO纳米棒层、ZnS纳米棒层，ZnO种子层涂覆在以玻璃衬底层为基底的光洁表层上，ZnO纳米棒层有序生长在ZnO种子层上呈纳米棒状结构，ZnS纳米棒层生长在ZnO纳米棒层上形成异质结。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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