[实用新型]一种功率器件终端结构有效
| 申请号： | 201520678017.2 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN204927291U | 公开（公告）日： | 2015-12-30 |
| 发明（设计）人： | 陆怀谷 | 申请（专利权）人： | 深圳市谷峰电子有限公司;香港谷峰半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/06 | 分类号： | H01L29/06;H01L29/78;H01L29/739;H01L29/861 |
| 代理公司： | 上海精晟知识产权代理有限公司 31253 | 代理人： | 冯子玲 |
| 地址： | 518000 广东省深圳*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种功率器件终端结构，在所述功率器件边缘具有深沟槽隔离作为终端。所述功率器件，或者是MOSFET，或者是IGBT，或者是二极管，或者是肖特基。所述功率器件的终端圆胞结构或者是平面型,或者是沟槽型。本实用新型提出一种不需要现有终端结构的方案,在功率器件边缘采用深沟槽隔离的技术,极大的减小了终端长度,提高了器件稳定性。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 器件 终端 结构 | ||
【主权项】：
一种功率器件终端结构，其特征在于，在所述功率器件边缘具有深沟槽隔离作为终端。
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