[实用新型]一种具有放大电路的光电传感器有效
申请号: | 201520683931.6 | 申请日: | 2015-08-30 |
公开(公告)号: | CN204902856U | 公开(公告)日: | 2015-12-23 |
发明(设计)人: | 王婕 | 申请(专利权)人: | 王婕 |
主分类号: | G01D5/26 | 分类号: | G01D5/26 |
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地址: | 617000 四川省攀枝*** | 国省代码: | 四川;51 |
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摘要: | 本实用新型属于传感器技术领域,具体的说涉及一种具有放大电路的光电传感器。本实用新型提供的一种具有放大电路的光电传感器,包括光敏二极管、检测电路和滤波输出电路;其特征在于,还包括放大电路,所述光敏二极管与放大电路连接,放大电路的输出端与检测电路的输入端连接,检测电路的输出端与滤波输出电路的输入端连接。本实用新型的有益效果为,能有效放大光敏器件的输出电压,同时具有结构简单,成本低廉的优点。本实用新型尤其适用于光电传感器。 | ||
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【主权项】:
一种具有放大电路的光电传感器,包括光敏二极管、检测电路和滤波输出电路;其特征在于,还包括放大电路,所述光敏二极管与放大电路连接,放大电路的输出端与检测电路的输入端连接,检测电路的输出端与滤波输出电路的输入端连接;所述放大电路包括电阻第一电阻R1、第二电阻R2、第三电阻R3、第四电阻R4、第五电阻R5、第六电阻R6、第七电阻R7、第八电阻R8、第一NMOS管M1、第二NMOS管M2、NMOS管第三NMOS管M3、第四NMOS管M4、第五NMOS管M5、第六NMOS管M6和第七NMOS管M7;光敏二极管的负极接第一NMOS管M1的源极和第二NMOS管M2的栅极,其正极接地;第一NMOS管M1的漏极通过第一电阻R1接电源VDD,其栅极接第二NMOS管M2的漏极,其源极通过第二电阻R2接地;第二NMOS管M2的漏极通过第三电阻R3接电源VDD,其栅极接第一NMOS管M1的源极,其源极接地;第三NMOS管M3的漏极通过第四电阻R4接电源VDD,其栅极接第四NMOS管M4的漏极,其源极通过第五电阻R5接地;第四NMOS管M4的漏极通过第六电阻R6接电源VDD,其源极接地;第五NMOS管M5的漏极通过第七电阻R7接电源VDD,其栅极接第三NMOS管M3的漏极;第六NMOS管M6的漏极通过第八电阻R8接电源VDD,其栅极接第一NMOS管M1的漏极;第五NMOS管M5和第六NMOS管M6的源极共同接第七NMOS管M7的漏极;第七NMOS管M7的栅极接第三NMOS管M3的源极和第四NMOS管M4的栅极,其源极接地;第八电阻R8与第六NMOS管M6的连接点为放大电路的输出端。
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