[实用新型]湿式蚀刻机机台用蚀刻药液喷洒结构有效
申请号: | 201520684905.5 | 申请日: | 2015-09-07 |
公开(公告)号: | CN204927251U | 公开(公告)日: | 2015-12-30 |
发明(设计)人: | 江昌隆 | 申请(专利权)人: | 上海和辉光电有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海申浩律师事务所 31280 | 代理人: | 乐卫国 |
地址: | 201506 *** | 国省代码: | 上海;31 |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型公开了一种湿式蚀刻机机台用蚀刻药液喷洒结构,包括一空心管,所述空心管的中部与带动其转动的转轴连接,所述转轴与驱动电机连接,所述空心管的下端设置有轴向的以便于蚀刻药液流出的喷洒间隙。本实用新型采用驱动电机带动空心管转动,在空心管上开设以便于蚀刻药液流出的喷洒间隙,因空心管旋转可使蚀刻药液在基板表面由中心往外均匀扩散,藉以达到较好的蚀刻均匀性。因本实用新型只使用一根空心管进行药液喷洒即可,减少机台使用喷洒头的数量,可有效降低维护、备料与人力点检的成本。 | ||
搜索关键词: | 蚀刻 机台 药液 喷洒 结构 | ||
【主权项】:
湿式蚀刻机机台用蚀刻药液喷洒结构,其特征在于,包括一空心管,所述空心管的中部与带动其转动的转轴连接,所述转轴与驱动电机连接,所述空心管的下端设置有轴向的以便于蚀刻药液流出的喷洒间隙。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于上海和辉光电有限公司,未经上海和辉光电有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520684905.5/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种高层小区水箱式无负压罐供水控制系统
- 下一篇:一种地下水塔自动供水系统
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造