[实用新型]抗氧化导电结构以及抗氧化导电组件有效
| 申请号： | 201520687842.9 | 申请日： | 2015-09-08 |
| 公开（公告）号： | CN204991171U | 公开（公告）日： | 2016-01-20 |
| 发明（设计）人： | 邓联文;徐丽梅;吴娜娜;刘张颖 | 申请（专利权）人： | 昆山汉品电子有限公司 |
| 主分类号： | H01B5/00 | 分类号： | H01B5/00 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215000 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了抗氧化导电结构以及抗氧化导电组件，可导电且抗氧化性能良好。其包括导电基体，导电基体表面设置有抗氧化导电层，抗氧化导电层的表面电阻0.001-1Ω/inch2，抗氧化导电层的垂直电阻0.001-1Ω/inch2，抗氧化导电层的厚度大于等于3μm，表面热幅射率0.9-0.99。上述结构能同时实现导电、屏蔽、接地、抗氧化，导热等功能。该导电组件包括第一电路组件和第二电路组件，还包括所述的抗氧化导电结构，所述第一电路组件通过抗氧化导电结构与第二电路组件相连。 | ||
| 搜索关键词： | 氧化 导电 结构 以及 组件 | ||
【主权项】：
抗氧化导电结构，其特征在于：包括导电基体，导电基体表面设置有抗氧化导电层，抗氧化导电层的表面电阻0.001‑1Ω/inch2，抗氧化导电层的垂直电阻0.001‑1Ω/inch2，抗氧化导电层的厚度大于等于3μm，表面热幅射率0.9‑0.99。
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