[实用新型]一种高功率半导体的内包芯片材结构有效
| 申请号： | 201520687958.2 | 申请日： | 2015-09-02 |
| 公开（公告）号： | CN205140963U | 公开（公告）日： | 2016-04-06 |
| 发明（设计）人： | 李锋华 | 申请（专利权）人： | 深圳市茂钿科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/552 | 分类号： | H01L23/552 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 518100 广东省深圳市南山区科技*** | 国省代码： | 广东;44 |
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| 摘要： | 一种高功率半导体的内包芯片材结构，其特征在于，该内包芯片材机构包括衬底层、导电层、绝缘层，其中衬垫层是一体成型无接缝的PE材料层，而绝缘层是高分子含碳纤维材料，夹在中间的导电层是由多层导电材料层叠合而成，每层导电材料层都包含金属内嵌物以及高分子树脂基材。本实用新型通过在半导体上使用包覆材料能够屏蔽电磁辐射问题，而且通过改进包覆材料的结构，能够带来更加稳定的电磁隔离效果，稳定电路信号，带来稳定的电路、信号使用效果。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 功率 半导体 芯片 结构 | ||
【主权项】：
一种高功率半导体的内包芯片材结构，其特征在于，该内包芯片材机构包括衬底层、导电层、绝缘层，其中衬垫层是一体成型无接缝的PE材料层，而绝缘层是高分子含碳纤维材料，夹在中间的导电层是由多层导电材料层叠合而成，每层导电材料层都包含金属内嵌物以及高分子树脂基材。
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