[实用新型]一种制备致密硫化镉薄膜的装置有效

专利信息
申请号: 201520721634.6 申请日: 2015-09-17
公开(公告)号: CN205035462U 公开(公告)日: 2016-02-17
发明(设计)人: 吴京锦;刘晨光;赵策洲;汤楚帆;柳鋆 申请(专利权)人: 西交利物浦大学
主分类号: C23C18/00 分类号: C23C18/00
代理公司: 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 代理人: 范晴;姜玲玲
地址: 215123 江苏*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开了一种制备致密硫化镉薄膜的装置,包括自上而下依次设置的:水箱,所述水箱内部装有水和反应容器,所述反应容器内装有至少一块衬底、反应溶液和磁子,同时在所述水箱底部设置至少一个超声波振子或在所述水箱内部设有超声波振板;磁力搅拌器,设于所述水箱底部,并控制所述反应溶液温度和所述磁子转速;以及超声波发生器,位于磁力搅拌器下方。本实用新型的优点在于,不仅操作简单,成品质量高,成本低,稳定性高,而且既能够实现对化学水浴法中反应溶液的均匀充分搅拌,又能够减少大颗粒和团簇的附着,有助生长均匀致密的大尺寸硫化镉薄膜。
搜索关键词: 一种 制备 致密 硫化 薄膜 装置
【主权项】:
一种制备致密硫化镉薄膜的装置,其特征在于,包括自上而下依次设置的:水箱,所述水箱内部装有水和反应容器,所述反应容器内装有至少一块衬底、反应溶液和磁子,同时在所述水箱底部设置至少一个超声波振子或在所述水箱内部设有超声波振板;磁力搅拌器,设于所述水箱底部,并控制所述反应溶液温度和所述磁子转速;以及超声波发生器,位于磁力搅拌器下方。
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