[实用新型]一种N型晶硅太阳能电池有效
申请号: | 201520723582.6 | 申请日: | 2015-09-17 |
公开(公告)号: | CN205104497U | 公开(公告)日: | 2016-03-23 |
发明(设计)人: | 方結彬;秦崇德;石强;黄玉平;何达能;陈刚 | 申请(专利权)人: | 广东爱康太阳能科技有限公司 |
主分类号: | H01L31/0224 | 分类号: | H01L31/0224;H01L31/04 |
代理公司: | 佛山市中迪知识产权代理事务所(普通合伙) 44283 | 代理人: | 张伶俐 |
地址: | 528100 广东*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种N型晶硅太阳能电池,包括:正面电极副栅、氮化硅膜、N型硅衬底、背面正电极主栅、背面背电极和背面铝背场。采用本实用新型,将正电极主栅印刷在硅片背面,通过孔洞与正面副栅相连,大大减少正面的遮光面积,提高电池的光电转换效率;在电池背面印刷铝背场形成背面PN结,避免硼扩散高温掺杂带来的少子寿命低的缺点,同时简化工艺流程,降低电池制造成本。 | ||
搜索关键词: | 一种 型晶硅 太阳能电池 | ||
【主权项】:
一种N型晶硅太阳能电池,其特征是,包括N型硅基体,N型硅基体的正面镀有一层氮化硅膜,氮化硅膜上印刷有正面正电极副栅,N型硅基体的背面涂覆有铝浆料构成铝背场形成PN结,在铝背场上印刷有背面正电极主栅和背电极,所述正电极副栅和正电极主栅投影呈90°,所述背电极平行于正电极主栅;所述正电极副栅上通过激光打有穿透N型硅基体的导电通孔,导电通孔内印刷银浆形成穿孔电极,穿孔电极的两端分别连接正电极副栅和正电极主栅;一根正电极副栅上的导电通孔至少为两个,导电通孔的中心点位于正电极副栅的水平中心线上,在N型硅基体的背面,同侧通孔均落于同侧正电极主栅上。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射,或微粒辐射敏感的,并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件;专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的,例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的,一个或多个电光源,如场致发光光源在结构上相连的,并与其电光源在电气上或光学上相耦合的