[实用新型]一种晶体硅太阳能电池有效
| 申请号： | 201520741586.7 | 申请日： | 2015-09-23 |
| 公开（公告）号： | CN204905265U | 公开（公告）日： | 2015-12-23 |
| 发明（设计）人： | 倪志春;魏青竹;吴晨阳;陆俊宇;连维飞 | 申请（专利权）人： | 中利腾晖光伏科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L31/0224 | 分类号： | H01L31/0224 |
| 代理公司： | 苏州创元专利商标事务所有限公司 32103 | 代理人： | 仇波 |
| 地址： | 215542 江苏省苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种晶体硅太阳能电池，它包括N型硅片衬底、形成于所述N型硅片衬底任一表面上的减反射膜、一端嵌设于所述N型硅片衬底内另一端延伸至超出所述减反射膜的多根第一栅线、对应形成于所述第一栅线底部且与所述N型硅片衬底一体的掺杂层以及覆盖于所述第一栅线上用于连接相邻所述第一栅线并汇集电流的第二栅线。通过N型硅片衬底上嵌入第一栅线，将掺杂层设置在第一栅线底部且与N型硅片衬底一体并且在第一栅线上覆盖第二栅线，这样可以减少栅线-硅接触面积，减少由接触带来的缺陷复合，结合了硅材料局域掺杂，进一步减少重掺杂的复合损失，提升太阳电池的性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 晶体 太阳能电池 | ||
【主权项】：
一种晶体硅太阳能电池，其特征在于：它包括N型硅片衬底（1）、形成于所述N型硅片衬底（1）任一表面上的减反射膜（2）、一端嵌设于所述N型硅片衬底（1）内另一端延伸至超出所述减反射膜（2）的多根第一栅线（3）、对应形成于所述第一栅线（3）底部且与所述N型硅片衬底（1）一体的掺杂层（4）以及覆盖于所述第一栅线（3）上用于连接相邻所述第一栅线（3）并汇集电流的第二栅线（5）。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件；其他类目中不包括的电固体器件
H01L31-00 对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射，或微粒辐射敏感的，并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的，或者专门适用于通过这样的辐射进行电能控制的半导体器件；专门适用于制造或处理这些半导体器件或其部件的方法或
H01L31-02 .零部件
H01L31-0248 .以其半导体本体为特征的
H01L31-04 .用作转换器件的
H01L31-08 .其中的辐射控制通过该器件的电流的，例如光敏电阻器
H01L31-12 .与如在一个共用衬底内或其上形成的，一个或多个电光源，如场致发光光源在结构上相连的，并与其电光源在电气上或光学上相耦合的
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