[实用新型]待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源有效

专利信息
申请号: 201520743438.9 申请日: 2015-09-23
公开(公告)号: CN204906191U 公开(公告)日: 2015-12-23
发明(设计)人: 王刚;岁金占 申请(专利权)人: 深圳市港祥辉电子有限公司
主分类号: H02M3/335 分类号: H02M3/335
代理公司: 广州科粤专利商标代理有限公司 44001 代理人: 王少强;黄培智
地址: 518000 广东省深圳市福田区上梅林*** 国省代码: 广东;44
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摘要: 实用新型公开了一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源,包括桥堆、变压器,其还包括:第一MOS管、第二MOS管、PWM芯片;其中PWM芯片型号为G5199;桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接,第一电容的另一端接地;第一电阻的另一端通过第二电阻与第二MOS管的漏极连接,第二MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接,第二MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接,变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接,第一二极管的负极与第二MOS管的源极、第二电容的一端分别连接,变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地。本实用新型的开关电源可以实现超低启动电流、高快速动态负载响应、待机功耗低的优点。
搜索关键词: 待机 功耗 驱动 mos 数字 芯片 开关电源
【主权项】:
一种待机功耗小的驱动MOS管的数字芯片开关电源,包括桥堆、变压器,其特征在于,还包括:第一MOS管、第二MOS管、PWM芯片;其中PWM芯片型号为G5199;桥堆的输出端分别与第一电阻和第一电容的一端连接,第一电容的另一端接地;第一电阻的另一端通过第二电阻与第二MOS管的漏极连接,第二MOS管的源极与PWM芯片的VDD管脚连接,第二MOS管的栅极与PWM芯片的ASU管脚连接,变压器副边绕组的起始端与第一二极管的正端连接,第一二极管的负极与第二MOS管的源极、第二电容的一端分别连接,变压器副边绕组的结束端及第二电容的另一端分别接地;PWM芯片的SD管脚通过热敏电阻接地,PWM芯片的Multi管脚通过第四电阻接地,PWM芯片的GND管脚接地,PWM芯片的DRV管脚与第一MOS管的栅极连接,第一MOS管的漏极与变压器原边的起始端连接,第一MOS管的源极通过第三电阻接地,变压器副边绕组的起始端依次通过第六电阻、第七电阻接地,第三电容连接在第七电阻的两端,PWM芯片的CS管脚连接在第一MOS管的源极和第三电阻之间,PWM芯片的VS管脚连接在第六电阻和第七电阻之间。
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