[实用新型]AMR传感器有效
| 申请号： | 201520748582.1 | 申请日： | 2015-09-24 |
| 公开（公告）号： | CN205050876U | 公开（公告）日： | 2016-02-24 |
| 发明（设计）人： | 蒋乐跃;沈佳;顾文斌 | 申请（专利权）人： | 美新半导体（无锡）有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/00 | 分类号： | H01L43/00;H01L43/02 |
| 代理公司： | 无锡互维知识产权代理有限公司 32236 | 代理人： | 印苏华 |
| 地址： | 214000 江苏省无锡*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型提供一种AMR传感器，其包括：基底；形成于基底上的多个磁阻条；形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条；填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条；其中每个磁阻条上设有若干个导电条。这样，可以避免由于过刻损伤到下层的磁阻层即MRS磁性薄膜材料损伤，提高工艺的稳定性以及可操作性，避免最终器件性能受影响。 | ||
| 搜索关键词： | amr 传感器 | ||
【主权项】：
一种AMR传感器，其特征在于，包括：基底；形成于基底上的多个磁阻条；形成于每个磁阻条上并填充相邻磁阻条之间的间隙的若干个绝缘条；填充相邻绝缘条之间的间隙的若干个导电条；其中每个磁阻条上设有若干个导电条。
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