[实用新型]图像传感器像素电路及处理器系统有效
申请号: | 201520752254.9 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN205159324U | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | J·希内塞克 | 申请(专利权)人: | 半导体元件工业有限责任公司 |
主分类号: | H01L27/146 | 分类号: | H01L27/146;H04N5/335 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 申发振 |
地址: | 美国亚*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本实用新型涉及图像传感器像素电路及处理器系统。本实用新型的一个目的是解决与现有技术中存在的一个或更多个问题相关的问题。一种图像传感器像素电路包括:光电二极管,响应于图像光产生电荷;浮动扩散节点;电荷转移晶体管,被配置为将所产生的电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散节点;放大晶体管,具有耦合到所述浮动扩散节点的栅极端子和耦合到像素输出节点的漏极端子;以及反馈电容器,耦合在所述像素输出节点和所述浮动扩散节点之间,其中所述放大晶体管被配置为以大于单位的增益提供转移的电荷,并且所述反馈电容器被配置以将负电压反馈提供到所述浮动扩散节点。相对于常规的设计,像素可以具有增加的存储容量和动态范围。 | ||
搜索关键词: | 图像传感器 像素 电路 处理器 系统 | ||
【主权项】:
一种图像传感器像素电路,其特征在于包括:光电二极管,响应于图像光产生电荷;浮动扩散节点;电荷转移晶体管,被配置为将所产生的电荷从所述光电二极管转移到所述浮动扩散节点;放大晶体管,具有耦合到所述浮动扩散节点的栅极端子和耦合到像素输出节点的漏极端子;以及反馈电容器,耦合在所述像素输出节点和所述浮动扩散节点之间,其中所述放大晶体管被配置为以大于单位的增益提供转移的电荷,并且所述反馈电容器被配置以将负电压反馈提供到所述浮动扩散节点。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于半导体元件工业有限责任公司,未经半导体元件工业有限责任公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服】
本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520752254.9/,转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇:一种散热全玻组件及光伏系统
- 下一篇:新型低放射性金属卤化物灯
- 同类专利
- 专利分类
H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的