[实用新型]半绝缘双面抛光微波晶片有效
| 申请号： | 201520752951.4 | 申请日： | 2015-09-25 |
| 公开（公告）号： | CN204946905U | 公开（公告）日： | 2016-01-06 |
| 发明（设计）人： | 戚林 | 申请（专利权）人： | 江苏中科晶元信息材料有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20 |
| 代理公司： | 常州市维益专利事务所 32211 | 代理人： | 陆华君 |
| 地址： | 215600 江苏省苏州市张家港市塘桥镇（江苏张*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种半绝缘双面抛光微波晶片，包括晶片本体，所述晶片本体的正面设置有上抛光层，所述晶片本体的背面设置有下抛光层，所述晶片本体的材质为砷化镓。砷化镓拥有一些较单晶硅还要好的电子特性，使得砷化镓可以用在高于250GHz的场合。如果等效的砷化镓和单晶硅元件同时都操作在高频时，砷化镓会产生较少的声音。也因为砷化镓有较高的崩溃压，所以砷化镓比同样的单晶硅元件更适合操作在高功率的场合。 | ||
| 搜索关键词： | 绝缘 双面 抛光 微波 晶片 | ||
【主权项】：
一种半绝缘双面抛光微波晶片，其特征是，包括晶片本体(1)，所述晶片本体(1)的正面设置有上抛光层(2)，所述晶片本体(1)的背面设置有下抛光层(3)，所述晶片本体(1)的材质为砷化镓。
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