[实用新型]MOCVD设备及其加热装置有效
申请号: | 201520754264.6 | 申请日: | 2015-09-25 |
公开(公告)号: | CN204982046U | 公开(公告)日: | 2016-01-20 |
发明(设计)人: | 郑振宇;何乃明 | 申请(专利权)人: | 中微半导体设备(上海)有限公司 |
主分类号: | C23C16/48 | 分类号: | C23C16/48 |
代理公司: | 上海信好专利代理事务所(普通合伙) 31249 | 代理人: | 徐雯琼;张静洁 |
地址: | 201201 上海市浦东新*** | 国省代码: | 上海;31 |
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摘要: | 本实用新型提供一种MOCVD设备及其加热装置,用以改善基片承载台上表面各区域的温度均匀性。其中的加热装置位于基片承载台下方并与所述基片承载台在竖直方向上相隔一段距离,以辐射的方式加热所述基片承载台,所述加热装置包括连续的第一辐射加热丝,所述第一辐射加热丝包括:两个端点,用于电连接加热电源的正负电极;用于连接该两个端点的辐射部,所述辐射部包括呈同心圆分布的多个弧形辐射段以及用于连接不同弧形辐射段的连接部;对于每一个单独的弧形辐射段而言,其内部各处的单位长度的电阻率相等;至少存在这样的两个弧形辐射段—第一弧形辐射段与第二弧形辐射段,它们的单位长度的电阻率不相等。 | ||
搜索关键词: | mocvd 设备 及其 加热 装置 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD设备的加热装置,所述加热装置位于基片承载台下方并与所述基片承载台在竖直方向上相隔一段距离,以辐射的方式加热所述基片承载台,所述加热装置包括连续的第一辐射加热丝,所述第一辐射加热丝包括:两个端点,用于电连接加热电源的正负电极;用于连接该两个端点的辐射部,所述辐射部包括呈同心圆分布的多个弧形辐射段以及用于连接不同弧形辐射段的连接部;对于每一个单独的弧形辐射段而言,其内部各处的单位长度的电阻率相等;至少存在这样的两个弧形辐射段——第一弧形辐射段与第二弧形辐射段,它们的单位长度的电阻率不相等。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的