[实用新型]一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件有效
| 申请号： | 201520756633.5 | 申请日： | 2015-09-28 |
| 公开（公告）号： | CN205004354U | 公开（公告）日： | 2016-01-27 |
| 发明（设计）人： | 胡双元;黄勇;朱忻 | 申请（专利权）人： | 苏州矩阵光电有限公司 |
| 主分类号： | H01L43/06 | 分类号： | H01L43/06 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 215614 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型公开了一种Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体霍尔元件，其结构包括霍尔元件功能层薄膜，通过倒装焊的方式组装在绝缘散热底座上，绝缘散热底座预先已制备好电极图形。用于生长霍尔元件功能层薄膜的单晶衬底，通过衬底剥离的方式，与霍尔元件功能层薄膜分离，昂贵的单晶衬底经过简单处理后，可以重复用于外延生长，重复次数在20次以上，可大大降低生产成本。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 化合物 半导体 霍尔 元件 | ||
【主权项】：
一种Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体霍尔元件，其结构包括自下而上设置的绝缘散热底座、欧姆接触电极、霍尔元件功能层薄膜，其特征在于：霍尔元件结构中不含Ⅲ‑Ⅴ族化合物半导体单晶衬底，采用绝缘散热底座作为支撑。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于苏州矩阵光电有限公司，未经苏州矩阵光电有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520756633.5/，转载请声明来源钻瓜专利网。
