[实用新型]一种编程器高速IO与高压保护电路

摘要

本实用新型公开一种编程器高速IO与高压保护电路，包括芯片U1A、二极管D1、电阻RS1和三极管Q1，所述芯片U1A的脚2连接二极管D1的阴极和电源VCCIO，二极管D1的阳极连接电阻RS1和芯片U1A的脚6，电阻RS1的另一端连接晶闸管M1的源极，晶闸管M1的栅极连接电阻RG1和三极管Q1的集电极，三极管Q1的基极连接电阻RB1和电阻RE1，电阻RE1的另一端连接三极管Q1的发射极并接地。使用本实用新型的电路结构，能够使得通用编程器产品速度快，成本低，发热量小，不需要外接电源适配器，可以为用户创造更多效。

主权项

一种编程器高速IO与高压保护电路，包括芯片U1A、二极管D1、电阻RS1和三极管Q1，其特征在于，所述芯片U1A的脚2连接二极管D1的阴极和电源VCCIO，二极管D1的阳极连接电阻RS1和芯片U1A的脚6，电阻RS1的另一端连接晶闸管M1的源极，晶闸管M1的栅极连接电阻RG1和三极管Q1的集电极，三极管Q1的基极连接电阻RB1和电阻RE1，电阻RE1的另一端连接三极管Q1的发射极并接地，电阻RB1的另一端连接二极管ZD1的阳极，二极管ZD1的阴极连接二极管M7的阴极、三极管Y1的集电极、三极管Y2的集电极和晶闸管M1的漏极，二极管M7的阳极连接三极管Y3的集电极，三极管Y3的基极连接电阻RC2和电阻RC1，电阻RC1的另一端连接VDD驱动1，电阻RC2的另一端连接三极管Y3的发射极和电源VDD，三极管Y2的发射极连接电阻RP2和电源VPP，电阻RP2的另一端连接电阻RP1和三极管Y2的基极，电阻RP1的另一端连接VPP驱动1，三极管Y1的基极连接电阻RN1，电阻RN1的另一端连接GND驱动1，三极管Y1的发射极接地。