[实用新型]偏置电阻器晶体管半导体器件及半导体器件有效
| 申请号： | 201520769857.X | 申请日： | 2015-09-30 |
| 公开（公告）号： | CN204966503U | 公开（公告）日： | 2016-01-13 |
| 发明（设计）人： | D·M·海明格尔;T·基纳 | 申请（专利权）人： | 半导体元件工业有限责任公司 |
| 主分类号： | H01L29/732 | 分类号： | H01L29/732;H01L29/06;H01L23/60 |
| 代理公司： | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人： | 申发振 |
| 地址： | 美国亚*** | 国省代码： | 美国;US |
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| 摘要： | 本实用新型涉及偏置电阻器晶体管半导体器件及半导体器件。一个目的是解决现有技术的问题。偏置电阻器晶体管半导体器件包括：基极端子；发射极端子；集电极端子；主要双极型晶体管，具有基极、与发射极端子耦合的发射极以及与集电极端子耦合的集电极；第一电阻器，具有与主要双极型晶体管的基极耦合的第一端子，并且具有与基极端子耦合的第二端子；及保护双极型晶体管，具有与主要双极型晶体管的集电极耦合的集电极、与主要双极型晶体管的发射极耦合的基极以及与基极端子耦合的发射极，保护双极型晶体管具有发射极到集电极区，发射极到集电极区被配置为响应于静电放电事件以雪崩模式操作。一个优点是可独立于主要晶体管确定半导体器件的ESD特性。 | ||
| 搜索关键词： | 偏置 电阻器 晶体管 半导体器件 | ||
【主权项】：
一种偏置电阻器晶体管半导体器件，其特征在于包括：基极端子；发射极端子；集电极端子；主要双极型晶体管，具有基极、与所述发射极端子耦合的发射极以及与所述集电极端子耦合的集电极；第一电阻器，具有与所述主要双极型晶体管的所述基极耦合的第一端子，并且具有与所述基极端子耦合的第二端子；以及保护双极型晶体管，具有与所述主要双极型晶体管的所述集电极耦合的集电极、与所述主要双极型晶体管的所述发射极耦合的基极以及与所述基极端子耦合的发射极，所述保护双极型晶体管具有发射极到集电极区，所述发射极到集电极区被配置为响应于静电放电事件以雪崩模式操作。
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