[实用新型]半导体器件和半导体二极管结构

摘要

本公开涉及半导体器件和半导体二极管结构。根据一个实施例，提供了一种半导体器件，包括：半导体衬底，具有第一导电性类型；第一掺杂区域，具有与所述第一导电性类型相反的第二导电性类型，位于所述半导体衬底上；第二掺杂区域，具有所述第一导电性类型，邻近所述第一掺杂区域；阴极区域，具有所述第二导电性类型，位于所述第二掺杂区域内；阳极区域，具有所述第一导电性类型，位于所述阴极区域内；第一电极，电耦合到所述阳极区域；以及第二电极，电耦合到所述阴极区域和所述第二掺杂区域，其中第一掺杂区域被配置为浮动区域。本公开的一个实施例解决的一个问题是提供一种二极管结构，其使得能够相对于体衬底的电势正向偏置和负向偏置，以便增加设计灵活性并且增强不利的操作条件下的器件性能。根据本公开的一个实施例的一个用途是提供一种二极管结构，其使得能够相对于体衬底的电势正向偏置和负向偏置，以便增加设计灵活性并且增强不利的操作条件下的器件性能。

主权项

一种半导体器件，其特征在于包括：半导体衬底，具有第一导电性类型；第一掺杂区域，具有与所述第一导电性类型相反的第二导电性类型，位于所述半导体衬底上；第二掺杂区域，具有所述第一导电性类型，邻近所述第一掺杂区域；阴极区域，具有所述第二导电性类型，位于所述第二掺杂区域内；阳极区域，具有所述第一导电性类型，位于所述阴极区域内；第一电极，电耦合到所述阳极区域；以及第二电极，电耦合到所述阴极区域和所述第二掺杂区域，其中第一掺杂区域被配置为浮动区域。