[实用新型]一种具有混合磁路的三相电抗器有效

专利信息
申请号: 201520789926.3 申请日: 2015-10-12
公开(公告)号: CN205230744U 公开(公告)日: 2016-05-11
发明(设计)人: 李宾;胡维生;仇亮安;李福元 申请(专利权)人: 上海兆启新能源科技有限公司
主分类号: H01F27/24 分类号: H01F27/24;H01F27/245;H01F1/147
代理公司: 上海天翔知识产权代理有限公司 31224 代理人: 吕伴
地址: 201306 上海市浦东新区南汇*** 国省代码: 上海;31
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摘要: 实用新型公开的一种具有混合磁路的三相电抗器,包括上、下铁轭和安装在上、下铁轭之间的三相芯柱以及安装在三相芯柱上的三相线圈,其上、下铁轭采用硅钢片制成的上、下铁轭,三相芯柱采用低损耗金属粉心材料铁硅制成的三相芯柱。本实用新型的芯柱采用低损耗金属粉心材料铁硅,由于铁硅磁导率低,含有分布气隙,从而芯柱中的气隙大幅减小甚至可以没有气隙。铁轭采用硅钢片,由于硅钢片磁导率高,可以保证三相电感量的一致性。本实用新型的有益效果是:1.芯柱中用铁硅,使得气隙小,漏磁低,高频损耗小,效率高。2.由于铁硅材料损耗低,设计上就可以选择较小的磁芯,从而减少电抗器体积,优化成本。3.三相电感的一致性好。
搜索关键词: 一种 具有 混合 磁路 三相 电抗
【主权项】:
一种具有混合磁路的三相电抗器,包括上、下铁轭和安装在所述上、下铁轭之间的三相芯柱以及安装在所述三相芯柱上的三相线圈,其特征在于,所述上、下铁轭采用硅钢片制成的上、下铁轭,所述三相芯柱采用低损耗金属粉心材料铁硅制成的三相芯柱。
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