[实用新型]金属层-绝缘层-金属层电容器有效
| 申请号： | 201520792014.1 | 申请日： | 2015-10-13 |
| 公开（公告）号： | CN205177824U | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 陈俭;张智侃 | 申请（专利权）人： | 格科微电子(上海)有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/522 | 分类号： | H01L23/522;H01L21/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 201203 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
| 权利要求书： | 查看更多 | 说明书： | 查看更多 |
| 摘要： | 本实用新型提供一种金属层-绝缘层-金属层电容器，适于应用于集成电路的片内电容，包括：第一金属层，于第一金属层上定义有非电容区域、电容区域；于电容区域中的第一金属层表面上设置的若干围堰侧墙，围堰侧墙包括位于底部的第一介质层及位于第一介质层上的第一阻挡层，围堰侧墙对应有凹槽；于围堰侧墙和凹槽表面依次设置的电容下极板、电容介质层、电容上极板；于电容上极板上设置的导电塞层；于导电塞层上设置的第二金属层。由于采用立体结构的MIM电容器，增加了电容上、下极板相对应的有效电极面积，提高了电容密度，可在有限的芯片面积上实现较大的电容值，满足了LCD驱动电路、RFCMOS电路等大电容集成电路的需求，适于应用于集成电路的片内电容。 | ||
| 搜索关键词： | 金属 绝缘 电容器 | ||
【主权项】：
一种金属层‑绝缘层‑金属层电容器，适于应用于集成电路的片内电容，其特征在于，包括：第一金属层，于第一金属层上定义有非电容区域、电容区域；于电容区域中的第一金属层表面上设置的若干围堰侧墙，所述围堰侧墙包括位于底部的第一介质层及位于第一介质层上的第一阻挡层，所述围堰侧墙对应有凹槽；于围堰侧墙和凹槽表面依次设置的电容下极板、电容介质层、电容上极板；于电容上极板上设置的导电塞层；于导电塞层上设置的第二金属层。
下载完整专利技术内容需要扣除积分，VIP会员可以免费下载。
该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息，商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于格科微电子(上海)有限公司，未经格科微电子(上海)有限公司许可，擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作，请联系【客服】
本文链接：http://www.vipzhuanli.com/patent/201520792014.1/，转载请声明来源钻瓜专利网。
- 上一篇：芯片集成电感
- 下一篇：一种汽车底盘车架与车体的连接结构
