[实用新型]一种存储芯片有效

专利信息
申请号: 201520805005.1 申请日: 2015-10-19
公开(公告)号: CN205028892U 公开(公告)日: 2016-02-10
发明(设计)人: 肖辉强 申请(专利权)人: 肖辉强
主分类号: H01L23/29 分类号: H01L23/29;H01L23/31
代理公司: 北京轻创知识产权代理有限公司 11212 代理人: 王新生
地址: 264200 山东省威海市*** 国省代码: 山东;37
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摘要: 实用新型涉及一种存储芯片,包括研磨制得的存储芯片本体,在所述存储芯片本体的正面焊接有电子元器件、引脚,所述存储芯片本体的背面设置有黏胶层,在所述黏胶层的下方设置有纤维薄膜层,且所述纤维薄膜层的外表面上分布有规则的凹坑,所述凹坑分布面积占纤维薄膜层的表面积的40%-60%。通过设置有纤维薄膜层和黏胶层,能够防止研磨过程中芯片受损破裂,提高良品率和芯片的使用寿命,通过在纤维薄膜层的外表面加工有规则的凹坑,增大摩擦力,能够防止纤维薄膜层在安装时发生移动,影响存储芯片的安装精度。
搜索关键词: 一种 存储 芯片
【主权项】:
一种存储芯片,包括研磨制得的存储芯片本体(1),在所述存储芯片本体(1)的正面焊接有电子元器件(2)、引脚(3),其特征在于:所述存储芯片本体(1)的背面设置有黏胶层(4),在所述黏胶层(4)的下方设置有纤维薄膜层(5),且所述纤维薄膜层(5)的外表面上分布有规则的凹坑(6),所述凹坑(6)分布面积占纤维薄膜层(5)的表面积的40%‑60%。
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