[实用新型]一种碳化钽涂层的高温CVD制备装置有效
申请号: | 201520806732.X | 申请日: | 2015-10-19 |
公开(公告)号: | CN205152327U | 公开(公告)日: | 2016-04-13 |
发明(设计)人: | 张丽;赖占平;齐海涛;徐永宽;王利杰;程红娟;洪颖;史月增;张志欣 | 申请(专利权)人: | 中国电子科技集团公司第四十六研究所 |
主分类号: | C23C16/32 | 分类号: | C23C16/32;C23C16/455 |
代理公司: | 天津中环专利商标代理有限公司 12105 | 代理人: | 胡京生 |
地址: | 300220*** | 国省代码: | 天津;12 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种碳化钽涂层的高温CVD制备装置,该装置包括,石墨坩埚,石墨坩埚的顶端和底端开口,石墨坩埚内部放置石墨支架,石墨支架有定位的卡槽,石墨片放置在卡槽内固定,石墨坩埚的外侧包裹保温层,保温层置于与下法兰连接的石英支撑管上端,上法兰、下法兰和石英壁构成封闭空间,封闭空间外侧设置感应线圈,下法兰与抽真空装置相连接,上法兰与进气装置相连接,进气装置由钽气态化合物和氩气两路气体组成,气体流速由流量计控制。技术效果是保证石墨构件与钽气态化合物在2000℃以上的温度下充分反应,表层生成高致密光洁的碳化钽涂层,满足高致密度、符合化学计量比的碳化钽涂层生长的要求。 | ||
搜索关键词: | 一种 碳化 涂层 高温 cvd 制备 装置 | ||
【主权项】:
一种碳化钽涂层的高温CVD制备装置,包括上法兰(1)、感应线圈(2)、保温层(3)、石英壁(4)、下法兰(5)、石墨坩埚(6)、石墨构件(7)、石墨支架(8)、石英支撑管(9)、抽真空装置(10)、进气装置(11),其特征在于:石墨坩埚(6)的顶端和底端、保温层(3)顶端和底端、上法兰(1)都开有直径不同的中心通孔,下法兰(5)偏离中心处有一通孔,抽真空装置(10)与下法兰(5)的通孔相连接,石英支撑管(9)固定在下法兰(5)的上表面,石墨坩埚(6)的外侧包裹保温层(3),保温层(3)放置在石英支撑管(9)上固定,石墨坩埚(6)的底端放置石墨支架(8),石墨构件(7)放置在石墨支架(8)的卡槽内,石英壁(4)套装在保温层(3)外,进气装置(11)与上法兰(1)的中心通孔相连接,进气装置(11)内有两条进气管,一端分别与钽气态化合物与氩气的混合气体(a)和稀释氩气(b)两路气体联通,气体流速由流量计控制,另一端插入石墨坩埚(6)内,上法兰(1)、石英壁(4)、下法兰(5)固定在一起,构成封闭空间(12),感应线圈(2)设置在石英壁(4)外。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
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