[实用新型]一种采用移相逆变的X光机灯丝电路

摘要

本实用新型涉及一种采用移相逆变的X光机灯丝电路，其包括PI调节子电路、移相型PWM控制器、MOFET逆变子电路和灯丝变压器。本灯丝电路采用移相逆变软开关技术，可大大减小开关损耗，提高转换效率，减小MOSFET发热量，提高灯丝单元电路的可靠性，稳定性，降低灯丝单元部分的成本。本方案解决了现有技术中开关损耗大、转换效率低、发热量大，须大面积散热的问题。

主权项

一种采用移相逆变的X光机灯丝电路，其特征在于：包括PI调节子电路、移相型PWM控制器(P1)、MOFET逆变子电路和灯丝变压器(B1)；PI调节子电路包括参数设定端(SETMA)、参数反馈端(FBMA)和型号为LF353的运算放大器(U3B)，参数设定端(SETMA)通过第三十三电阻(R33)与运算放大器(U3B)的负输入端连接，参数反馈端(FBMA)通过第四十二电阻(R42)与运算放大器(U3B)的负输入端连接，运算放大器(U3B)的负输入端与输出端之间连接有第三十七电阻(R37)，第三十七电阻(R37)的两端连接有相串联的第三十二电阻(R32)和第二十六电容(C26)，运算放大器(U3B)的输出端与PWM控制器(P1)的输入端连接；MOFET逆变子电路包括脉冲变压器(M1)、第一场效应管(Q1)、第二场效应管(Q2)、第三场效应管(Q3)和第四场效应管(Q4)，脉冲变压器(M1)具有四个次级绕组，第一、第二、第三、第四场效应管(Q1、Q2、Q3、Q4)均为型号为IRF540N的金氧半场效晶体管，第四场效应管(Q4)的漏极与第一场效应管(Q1)的漏极连接，第四场效应管(Q4)的源极与第三场效应管(Q3)的漏极连接，第三场效应管(Q3)的源极与第二场效应管(Q2)的源极连接，第二场效应管(Q2)的漏极与第一场效应管(Q1)的源极连接；第四场效应管(Q4)的栅极连接第四电阻(R4)后与源极对应脉冲变压器(M1)的第一个次级绕组连接，第四场效应管(Q4)的栅极与源极间连接有第十二电阻(R12)；第一场效应管(Q1)的栅极连接第五电阻(R5)后与源极对应脉冲变压器(M1)的第二个次级绕组连接，第一场效应管(Q1)的栅极与源极间连接有第十三电阻(R13)；第三场效应管(Q3)的栅极连接第二十电阻(R20)后与源极对应脉冲变压器(M1)的第三个次级绕组连接，第三场效应管(Q3)的栅极与源极间连接有第二十八电阻(R28)；第二场效应管(Q2)的栅极连接第二十一电阻(R21)后与源极对应脉冲变压器(M1)的第四个次级绕组连接，第二场效应管(Q2)的栅极与源极间连接有第二十九电阻(R29)；灯丝变压器(B1)初级线圈的两端与第四场效应管(Q4)的源极、第一场效应管(Q1)的源极对应连接，灯丝变压器(B1)次级线圈的两端加载到X光机的灯丝上。