[实用新型]基于碳纳米管作为桥接结构的高压二极管有效
| 申请号： | 201520822266.4 | 申请日： | 2015-10-22 |
| 公开（公告）号： | CN205177883U | 公开（公告）日： | 2016-04-20 |
| 发明（设计）人： | 闫晓密;张秀敏;李睿 | 申请（专利权）人： | 江苏新广联半导体有限公司 |
| 主分类号： | H01L33/62 | 分类号： | H01L33/62;H01L33/00 |
| 代理公司： | 无锡市大为专利商标事务所(普通合伙) 32104 | 代理人： | 曹祖良;刘海 |
| 地址： | 214192 江苏省*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及一种基于碳纳米管作为桥接结构的高压二极管，包括衬底，衬底上设置多个发光单元，发光单元包括在衬底上自下而上依次设置的缓冲层、U-GaN层、N-GaN层、多量子肼、P-GaN层和透明导电层，透明导电层上表面设置P电极，N-GaN层上表面设置N电极；其特征是：所述相邻的发光单元之间由沟槽相隔离，在沟槽表面设置SiO2绝缘层，在SiO2绝缘层表面设置桥接结构，桥接结构连接相邻发光单元的N-GaN层和透明导电层。本实用新型采用碳纳米管替代Au电极，解决目前高压二极管存在的芯片死灯现象。 | ||
| 搜索关键词： | 基于 纳米 作为 结构 高压 二极管 | ||
【主权项】：
一种基于碳纳米管作为桥接结构的高压二极管，包括衬底（1），衬底（1）上设置多个发光单元，发光单元包括在衬底（1）上自下而上依次设置的缓冲层（2）、U‑GaN层（3）、N‑GaN层（4）、多量子肼（5）、P‑GaN层（6）和透明导电层（7），透明导电层（7）上表面设置P电极（8），N‑GaN层（4）上表面设置N电极（9）；其特征是：所述相邻的发光单元之间由沟槽相隔离，在沟槽表面设置SiO2绝缘层（10），在SiO2绝缘层（10）表面设置桥接结构（11），桥接结构（11）连接相邻发光单元的N‑GaN层（4）和透明导电层（7）。
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