[实用新型]一种热击穿点可控压敏电阻器有效

专利信息
申请号: 201520829524.1 申请日: 2015-10-19
公开(公告)号: CN204991321U 公开(公告)日: 2016-01-20
发明(设计)人: 李伟力;阙华昌;李国正;徐晓;方弋 申请(专利权)人: 昆山萬豐電子有限公司
主分类号: H01C7/12 分类号: H01C7/12
代理公司: 暂无信息 代理人: 暂无信息
地址: 215300 江*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 一种热击穿点可控压敏电阻器,包括压敏电阻器本体,所述压敏电阻器本体电极上设置有热击穿区,热击穿区连接热脱离器,热击穿区为压敏电阻器本体电极内部的缺失区域,通过使压敏电阻器电极内部边缘的边缘效应强于外部边缘,可实现工频电压下,热击穿区边缘的压敏电阻承受的场强高于其他区域,进而此区域压敏电阻因离子迁移造成的性能劣化速度快于其他区域,同时因边缘效应,热击穿区边缘通流密度高于其他区域,同样造成热击穿区压敏电阻性能劣化速度超过其他区域,从而保证压敏电阻器失效点位于热击穿区,有利于热脱离器迅速脱扣。本实用新型可避免凹点式结构造成的工艺不稳定及性能浪费。
搜索关键词: 一种 击穿 可控 压敏电阻
【主权项】:
一种热击穿点可控压敏电阻器,其包括有压敏电阻器的本体,其特征在于,所述的压敏电阻器本体是圆形或方形的一种,所述的压敏电阻器本体的电极上设置有热击穿区,所述的热击穿区为压敏电阻器本体的第一电极、第二电极的内部缺失区域,所述的第一电极、第二电极分别位于压敏电阻器本体两侧且面对称,任一电极内部缺失区域面积小于其所在电极面积的10%,所述的热击穿区连接有热脱离器。
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