[实用新型]组合式准谐振反激架构电路有效

专利信息
申请号: 201520835525.7 申请日: 2015-10-26
公开(公告)号: CN205092776U 公开(公告)日: 2016-03-16
发明(设计)人: 简化军;梁军 申请(专利权)人: 杭州奥能电源设备股份有限公司
主分类号: H02M3/338 分类号: H02M3/338
代理公司: 浙江永鼎律师事务所 33233 代理人: 王梨华
地址: 310000 浙江省*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型涉及一种电路,尤其涉及了一种准谐振反激电路,公开了一种组合式准谐振反激架构电路,包括多个准谐振反激电路模块,通过准谐振反激电路模块之间并联、串联或者交错并联,准谐振反激模块包括原边电路和副边电路,原边电路包括并联的变压器原边线圈和原边电容,还包括MOS管、缓冲电容,缓冲电容与变压器原边线圈串联,MOS管的D极与S极分别与缓冲电容的两端相连,本实用新型通过多个准谐振反激模块的自由组合,比如原边电路并联,副边串联以实现高升压比,可用于低压大电流输入场合;也可原边电路串、并联,副边电路串、并联以满足不同的升压要求和功率要求。
搜索关键词: 组合式 谐振 架构 电路
【主权项】:
组合式准谐振反激架构电路,其特征在于:包括并联构架部分,并联构架部分包括第一输入端、第二输入端、第一输出端、第二输出端和2个以上的准谐振反激模块,准谐振反激模块包括原边电路和副边电路,原边电路包括并联的变压器原边线圈和原边电容,还包括MOS管、缓冲电容,缓冲电容与变压器原边线圈串联,MOS管的D极与S极分别与缓冲电容的两端相连,MOS管的D极连接在原边线圈与缓冲电容之间,原边电容的另一端与MOS管的S极相连,副边电路包括变压器副边线圈、整流二极管和滤波电容,变压器副边线圈与整流二极管串联后与滤波电容并联,原边电路的两端分别与第一输入端和第二输入端相连,副边电路的两端分别与第一输出端和第二输出端相连。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州奥能电源设备股份有限公司,未经杭州奥能电源设备股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520835525.7/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top