[实用新型]一种硅片承载基座及原子层沉积设备

摘要

本实用新型属于半导体集成电路制造设备技术领域，公开了一种硅片承载基座及原子层沉积设备，包括基座本体、气体供应管道以及气体供应源，其中，气体供应管道为多个，自底部贯通基座本体向硅片背面与基座本体上表面之间吹送气体，以阻止反应气体流动至硅片背面，气体供应管道上具有用于控制气体供应管道启闭的控制阀。本实用新型通过在原子层沉积设备的基座本体上增设气体供应管道，从而向硅片背面与基座本体之间吹送气体，以阻止反应气体流动至硅片背面，进而防止硅片背面薄膜的生成；本实用新型省略了现有的背清洗工艺，避免由于背清洗工艺导带来的潜在的工艺风险，降低了生产成本，同时提高了产能。

主权项

一种硅片承载基座，用于将硅片固定于原子层沉积设备的淀积腔中，其特征在于，包括：基座本体，设于硅片下方，所述基座本体上具有多个用于承载硅片的支撑件，所述硅片的下表面与基座本体的上表面具有预设间距；气体供应管道，所述气体供应管道为多个，自底部贯通所述基座本体向硅片背面与基座本体上表面之间吹送气体，以阻止反应气体流动至硅片背面，所述气体供应管道上具有用于控制所述气体供应管道启闭的控制阀；以及，气体供应源，与所述气体供应管道连接，用于向所述气体供应管道输送气体。