[实用新型]温度保护电路有效
| 申请号： | 201520844227.4 | 申请日： | 2015-10-26 |
| 公开（公告）号： | CN205092240U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陶霞菲 | 申请（专利权）人： | 杭州宽福科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L23/58 | 分类号： | H01L23/58;H01L27/02 |
| 代理公司： | 暂无信息 | 代理人： | 暂无信息 |
| 地址： | 310053 浙江*** | 国省代码： | 浙江;33 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种温度保护电路，包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第三电阻和第一NPN管；第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接第二电阻的一端和第一NMOS管的漏极和第一NPN管的基极；第二电阻的一端接第一电阻的一端和第一NMOS管的漏极和第一NPN管的基极，另一端接地；第一NMOS管的栅极接第三电阻的一端和第一NPN管的集电极，漏极接第一电阻的一端和第二电阻的一端和第一NPN管的基极，源极接地。本实用新型第一电阻和第二电阻分压得到一电压作为第一NPN管的基极电压，当温度升高时，第一NPN管导通使得输出端VOUT变为低电平；正常工作时，第一NPN管不导通，输出端VOUT是高电平。 | ||
| 搜索关键词： | 温度 保护 电路 | ||
【主权项】：
温度保护电路，其特征在于：包括第一电阻、第二电阻、第一NMOS管、第三电阻和第一NPN管；所述第一电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极；所述第二电阻的一端接所述第一电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极和所述第一NPN管的基极，另一端接地；所述第一NMOS管的栅极接所述第三电阻的一端和所述第一NPN管的集电极，漏极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NPN管的基极，源极接地；所述第三电阻的一端接电源电压VCC，另一端接所述第一NPN管的集电极和所述第一NMOS管的栅极；所述第一NPN管的基极接所述第一电阻的一端和所述第二电阻的一端和所述第一NMOS管的漏极，集电极接所述第三电阻的一端和所述第一NMOS管的栅极，发射极接地。
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