[实用新型]一种提高探测器饱和光功率的结构有效
| 申请号： | 201520851046.4 | 申请日： | 2015-10-29 |
| 公开（公告）号： | CN205450358U | 公开（公告）日： | 2016-08-10 |
| 发明（设计）人： | 王红亚;张德玲 | 申请（专利权）人： | 武汉电信器件有限公司 |
| 主分类号： | G02B6/42 | 分类号： | G02B6/42 |
| 代理公司： | 北京汇泽知识产权代理有限公司 11228 | 代理人： | 张瑾;程殿军 |
| 地址： | 430074 湖*** | 国省代码： | 湖北;42 |
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| 摘要： | 本实用新型涉及光电通信技术领域，提出了一种提高探测器饱和光功率的结构，所述结构包括TO底座101、探测器芯片103和适配器106，具体的：所述TO底座101上安装有探测器芯片103，所述探测器芯片103与适配器106之间设置有衰减片202。本实用新型实施例中所涉及的探测器的饱和光功率可根据实际需求情况，通过更改衰减片的衰减量自行选择，不影响探测器芯片及跨阻放大器的选择，灵活性更强。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 提高 探测器 饱和 功率 结构 | ||
【主权项】：
一种提高探测器饱和光功率的结构，其特征在于，所述结构包括TO底座(101)、探测器芯片(103)和适配器(106)，具体的：所述TO底座(101上安装有探测器芯片(103)，所述探测器芯片(103)与适配器(106)之间设置有衰减片(202)。
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