[实用新型]一种半导体激光器直接倍频装置有效
| 申请号： | 201520851984.4 | 申请日： | 2015-10-30 |
| 公开（公告）号： | CN205319505U | 公开（公告）日： | 2016-06-15 |
| 发明（设计）人： | 孟慧成;阮旭;谭昊;杜维川;余俊宏;王昭;吴华玲;高松信;武德勇 | 申请（专利权）人： | 中国工程物理研究院应用电子学研究所 |
| 主分类号： | H01S3/0941 | 分类号： | H01S3/0941;H01S3/109 |
| 代理公司： | 成都九鼎天元知识产权代理有限公司 51214 | 代理人： | 卿诚 |
| 地址： | 621000 四川*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种半导体激光器直接倍频装置，该方案为半导体激光器发射出的激光束依次经过光谱合束及压窄机构、隔离器、耦合透镜、TEC温度控制模块、非线性倍频晶体和第二耦合输出镜后输出。该方案能够实现每个合束单元波长的锁定压窄和模式选择，同时将发光单元激光束空间近场和远场重叠成一束输出，极大的改善合束之后的光束质量，于是实现了高功率输出条件下实现高光束质量输出，对应的锁定光谱具有很高的谱亮度。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 半导体激光器 直接 倍频 装置 | ||
【主权项】：
一种半导体激光器直接倍频装置，其特征是：半导体激光器发射出的激光束依次经过光谱合束及压窄机构、隔离器、耦合透镜、TEC温度控制模块、非线性倍频晶体和第二耦合输出镜后输出。
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