[实用新型]具有二维金属电极的有电导调制的四极功率半导体器件

摘要

具有二维金属电极的有电导调制的四极功率半导体器件，属半导体分离功率器件领域，针对IGBT设计和制造难度大的问题，VDMOSFET器件芯片由多个VDMOSFET原胞并联且依次相接而成，多个二极管设置在多个原胞之间，任意两个原胞之间插入一个二极管，二极管与VDMOSFET共用耐压漂移区，二极管的阴极通过上部绝缘层与VDMOSFET的源极金属隔离，且在源极金属之上并联形成第二层金属电极；二极管的阳极与VDMOSFET的漏极共用；二极管的阴极与源极金属成二维结构，二个金属电极之间通过上部绝缘层隔离，VDMOSFET的栅极多晶与源极金属通过下部绝缘层隔离引出金属栅极，进而形成四电极的场控功率器件。

主权项

具有二维金属电极的有电导调制的四极功率半导体器件，该器件是由VDMOSFET器件与二极管复合的场控器件，在VDMOSFET器件中，器件芯片由多个VDMOSFET原胞并联且依次相接而成，多个二极管设置在多个原胞之间，任意两个原胞之间插入一个二极管，二极管与VDMOSFET器件共用耐压漂移区，其特征是，二极管的阴极通过上部绝缘层与VDMOSFET的源极金属隔离，且在VDMOSFET的源极金属之上并联形成第二层金属电极；二极管的阳极与VDMOSFET器件的漏极共用；二极管的阴极与VDMOSFET器件的源极金属成二维结构，二个金属电极之间通过上部绝缘层隔离，VDMOSFET器件的栅极多晶与源极金属通过下部绝缘层隔离引出金属栅极，进而形成四电极的场控功率器件。