[实用新型]一种VGF法单晶生长装置

摘要

本实用新型提供一种VGF法单晶生长装置。该装置包括PBN坩埚、石英管和石英帽三部分,所述的PBN坩埚共包括籽晶区、放肩区、等径区,籽晶区为下端面为平面的圆锥形，所形成的锥角与放肩区的锥角相同，与放肩区形成一个整体，所述的石英管包括石英管籽晶区、石英管放肩区和石英管等径区三部分，石英管籽晶区、石英管放肩区和石英管等径区分别与PBN坩埚的籽晶区、放肩区、等径区一一对应且形状相吻合，放肩区外壁与石英管放肩区内壁之间设有石英环，PBN坩埚上方的石英管上端内焊接有石英帽。该装置可实现有效减少晶体头部位错密度，降低孪晶、位错和多晶等缺陷的产生几率，提高单晶质量及成品率，创造更大的经济效益。

主权项

一种VGF法单晶生长装置，装置包括PBN坩埚、石英管和石英帽三部分,其特征是：所述的PBN坩埚共包括籽晶区(1)、放肩区(2)、等径区(3),籽晶区(1)为下端面为平面的圆锥形，由下至上直径逐渐增大，所形成的锥角与放肩区(2)的锥角相同，与放肩区(2)形成一个整体，放肩区(2)与等径区(3)之间采用圆弧平滑过渡，所述的石英管包括石英管籽晶区(4)、石英管放肩区(5)和石英管等径区(6)三部分，石英管籽晶区(4)、石英管放肩区(5)和石英管等径区(6)分别与PBN坩埚的籽晶区(1)、放肩区(2)、等径区(3)一一对应且形状相吻合，放肩区(2)外壁与石英管放肩区(5)内壁之间设有石英环(7)，PBN坩埚上方的石英管上端内焊接有石英帽(10)。