[实用新型]直拉法生长低位错单晶的热场结构有效
| 申请号： | 201520864558.4 | 申请日： | 2015-11-03 |
| 公开（公告）号： | CN205275775U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 黎建明;冯德伸;高欢欢;张路;王霈文 | 申请（专利权）人： | 有研光电新材料有限责任公司 |
| 主分类号： | C30B15/18 | 分类号： | C30B15/18 |
| 代理公司： | 北京北新智诚知识产权代理有限公司 11100 | 代理人： | 刘秀青;熊国裕 |
| 地址： | 065001 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开一种直拉法生长低位错单晶的热场结构。该热场结构包括沿单晶炉炉壁设置的主加热器和设置在单晶炉炉底的底加热器。主加热器为上薄下厚的渐变型直筒结构。采用该热场结构生长低位错单晶的工艺至少包括：(1)选择无位错单晶作为籽晶，在晶体生长过程中，升温化料达到目标温度；(2)将熔体稳定一段时间热场稳定后，寻找引晶温度；在该引晶温度点引晶1小时后直接放肩；(3)经自动控制等径生长、收尾、冷却至室温，完成低位错晶体生长。采用本实用新型的热场结构能够降低热场中的温度梯度、增大低温度梯度区域；结合低温度梯度热场中晶体生长工艺，能够加长低位错晶体的有效长度。 | ||
| 搜索关键词： | 直拉法 生长 低位 错单晶 结构 | ||
【主权项】：
一种直拉法生长低位错单晶的热场结构，其特征在于，该热场结构包括沿单晶炉炉壁设置的主加热器和设置在单晶炉炉底的底加热器；所述主加热器为上薄下厚的渐变型直筒结构；所述主加热器自其高度的1/2处向下为一恒定厚度，向上依次减薄；上沿处最薄，其厚度为恒定厚度的2/3‑5/6。
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