[实用新型]一个多MOSFET管的高效安装结构有效

专利信息
申请号: 201520868071.3 申请日: 2015-11-03
公开(公告)号: CN205621721U 公开(公告)日: 2016-10-05
发明(设计)人: 吴兴川 申请(专利权)人: 长沙丹芬瑞电气技术有限公司
主分类号: H01L23/40 分类号: H01L23/40;H01L23/373;H01L23/367;H01L23/535;H01L25/07
代理公司: 北京科亿知识产权代理事务所(普通合伙) 11350 代理人: 汤东凤
地址: 410000 湖南省长沙市长沙*** 国省代码: 湖南;43
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摘要: 实用新型公开了一个多MOSFET管的高效安装结构,包括连接铜排,所述连接铜排通过螺柱与PCB板固定连接,所述PCB板的底部设置散热器,所述散热器的表面设置陶瓷基片,所述陶瓷基片的表面设置MOSFET管,所述MOSFET管的管脚直接焊接在PCB板的底部,所述PCB板的内部通过布线将MOSFET管的管脚与螺柱相连,所述MOSFET管和陶瓷基片均通过第一三组合螺钉与散热器连接。所述一个多MOSFET管的高效安装结构,通过设置陶瓷基片,陶瓷基片有很高的绝缘耐压且有很高的导热系数,通过这个方法可以实现MOSFET管高绝缘耐压要求,将MOSFET管直接通过陶瓷基片与散热器相连,能将MOSFET管损耗产生的热量迅速传递到散热器上,通过将散热器设置为流苏型结构,能够加大散热面积,增强散热效果。
搜索关键词: 一个 mosfet 高效 安装 结构
【主权项】:
一个多MOSFET管的高效安装结构,包括连接铜排(6),其特征在于:所述连接铜排(6)通过螺柱(8)与PCB板(1)固定连接,所述PCB板(1)的底部设置散热器(5),所述散热器(5)的表面设置陶瓷基片(4),所述陶瓷基片(4)的表面设置MOSFET管(3),所述MOSFET管(3)的管脚直接焊接在PCB板(1)的底部,所述PCB板(1)的内部通过布线将MOSFET管(3)的管脚与螺柱(8)相连,所述MOSFET管(3)和陶瓷基片(4)均通过第一三组合螺钉(2)与散热器(5)连接。
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