[实用新型]一种具有双缓冲层的FS型IGBT器件有效
| 申请号： | 201520871004.7 | 申请日： | 2015-11-04 |
| 公开（公告）号： | CN205282480U | 公开（公告）日： | 2016-06-01 |
| 发明（设计）人： | 汤艺;徐泓;王良元;永福 | 申请（专利权）人： | 上海道之科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739;H01L29/06;H01L21/331 |
| 代理公司： | 杭州九洲专利事务所有限公司 33101 | 代理人： | 翁霁明 |
| 地址： | 201800 上海市*** | 国省代码： | 上海;31 |
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| 摘要： | 一种具有双缓冲层的FS型IGBT器件，包括集电极1、第二缓冲层2、第一缓冲层3、N-漂移区4、N+电荷贮存层5、P型阱6、N型源区7、发射极8和栅极9；所述第一缓冲层与所述第二缓冲层2相互平行，位于所述N-漂移区4和所述集电极1之间，且第一缓冲层3靠近N-漂移区4，第二缓冲层2靠近集电极1，第一层缓冲层3的杂质最大浓度小于第二缓冲层2的杂质最大浓度；它具有能减小导通电压，改善开关特性；从而有效地增强IGBT器件的电学性能。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 具有 缓冲 fs igbt 器件 | ||
【主权项】：
一种具有双缓冲层的FS型IGBT器件，包括集电极（1）、第二缓冲层（2）、第一缓冲层（3）、N‑漂移区（4）、N+电荷贮存层（5）、P型阱（6）、N型源区（7）、发射极（8）和栅极（9）；其特征在于：所述第一缓冲层与所述第二缓冲层（2）相互平行，位于所述N‑漂移区（4）和所述集电极（1）之间，且第一缓冲层（3）靠近N‑漂移区（4），第二缓冲层（2）靠近集电极（1），第一层缓冲层（3）的杂质最大浓度小于第二缓冲层（2）的杂质最大浓度。
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