[实用新型]微波内匹配功率晶体管匹配电容有效
| 申请号： | 201520879476.7 | 申请日： | 2015-11-06 |
| 公开（公告）号： | CN205092248U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 潘宏菽;马杰;宋建博;张力江;付兴中;李保第;崔玉兴;付兴昌 | 申请（专利权）人： | 中国电子科技集团公司第十三研究所 |
| 主分类号： | H01L29/94 | 分类号： | H01L29/94;H01L23/49;H01L29/66;H01L21/48 |
| 代理公司： | 石家庄国为知识产权事务所 13120 | 代理人： | 李荣文 |
| 地址： | 050051 *** | 国省代码： | 河北;13 |
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| 摘要： | 本实用新型公开了一种微波内匹配功率晶体管匹配电容，涉及电容技术领域。所述电容包括完成了内匹配电容正面工艺的MIM上电容组件，MIM上电容组件包括衬底，所述衬底的上表面设有金属下电极，所述衬底上设有引出通孔，所述衬底的下表面设有金属下电极引出电极，所述金属下电极引出电极的一部分穿过所述引出通孔与所述金属下电极电连接。所述电容具有耐高温，频率性能好，体积小，制作工艺简单，成本低的特点。 | ||
| 搜索关键词： | 微波 匹配 功率 晶体管 电容 | ||
【主权项】：
一种微波内匹配功率晶体管匹配电容，其特征在于：包括完成了内匹配电容正面工艺的MIM上电容组件，MIM上电容组件包括衬底（1），所述衬底（1）的上表面设有金属下电极（2），所述衬底（1）上设有引出通孔（7），所述衬底（1）的下表面设有金属下电极引出电极（10），所述金属下电极引出电极（10）的一部分穿过所述引出通孔（7）与所述金属下电极（2）电连接。
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