[实用新型]显示器有效
申请号: | 201520886146.0 | 申请日: | 2015-11-09 |
公开(公告)号: | CN205081121U | 公开(公告)日: | 2016-03-09 |
发明(设计)人: | 林敬伟;崔宰元;金民圭;张世昌;蔡宗廷;V·古普塔;朴英培 | 申请(专利权)人: | 苹果公司 |
主分类号: | H01L27/32 | 分类号: | H01L27/32 |
代理公司: | 中国国际贸易促进委员会专利商标事务所 11038 | 代理人: | 欧阳帆 |
地址: | 美国加*** | 国省代码: | 美国;US |
权利要求书: | 查看更多 | 说明书: | 查看更多 |
摘要: | 本公开涉及显示器。显示器包括:像素阵列,每个像素具有带有阳极和阴极的有机发光二极管且具有带有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的薄膜晶体管电路;水平控制线,耦接到晶体管栅极且将控制信号供应给阵列中的像素行;与阵列中像素列关联的数据线;和与阵列中像素列关联的初始化电压线,切换晶体管将电压初始化线之一耦接到阳极,薄膜晶体管电路包括形成半导体沟道的半导体层、与其相邻的栅极绝缘体层、与其相邻且形成栅极的栅极层、形成源极-漏极端子的源极-漏极层、源极-漏极层上的电介质层、形成阳极的金属阳极层、置于电介质层与金属阳极层间的有机钝化层和不由金属阳极层部分形成且形成电压初始化线的附加金属层。 | ||
搜索关键词: | 显示器 | ||
【主权项】:
一种显示器,其特征在于,包括:像素的阵列,其中每个像素具有有机发光二极管,所述有机发光二极管具有阳极和阴极,并且每个像素具有薄膜晶体管电路,所述薄膜晶体管电路具有包括至少一个驱动晶体管和至少一个切换晶体管的晶体管;水平控制线,耦接到所述晶体管中的栅极并且将控制信号供应给所述阵列中的像素行;数据线,与所述阵列中的像素列关联;以及初始化电压线,与所述阵列中的像素列关联,其中在每个像素中,所述切换晶体管将所述电压初始化线中的一个耦接到该像素中的所述有机发光二极管的阳极,其中所述薄膜晶体管电路包括形成用于所述晶体管的半导体沟道的半导体层、与所述半导体层相邻的栅极绝缘体层、与所述栅极绝缘体层相邻并且被图案化以形成所述栅极的栅极层、被图案化以形成用于所述晶体管的源极‑漏极端子的源极‑漏极层、在所述源极‑漏极层上的电介质层、被图案化以形成所述像素中的阳极的金属阳极层、置于所述电介质层与所述金属阳极层之间的有机钝化层、以及不由所述金属阳极层的一部分形成并且被图案化以形成所述电压初始化线的附加金属层。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的