[实用新型]一种沟槽栅IGBT有效
| 申请号： | 201520893094.X | 申请日： | 2015-11-10 |
| 公开（公告）号： | CN205248282U | 公开（公告）日： | 2016-05-18 |
| 发明（设计）人： | 刘国友;覃荣震;黄建伟;罗海辉;戴小平 | 申请（专利权）人： | 株洲南车时代电气股份有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/739 | 分类号： | H01L29/739 |
| 代理公司： | 北京集佳知识产权代理有限公司 11227 | 代理人： | 王宝筠 |
| 地址： | 412001 湖*** | 国省代码： | 湖南;43 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种沟槽栅IGBT，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小，即采用调整源极区的面积的方式以调整沟槽栅IGBT的饱和电流，相当于间接实现了沟槽栅IGBT的总沟道宽度的调整，进而调节了饱和电流的大小，使得在制作沟槽栅IGBT时只需调整制作源极区的光刻板即可，不仅方式简单，而且保证了制作成本低。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 沟槽 igbt | ||
【主权项】：
一种沟槽栅IGBT，其特征在于，包括至少一个元胞，所述元胞包括：漂移区；位于所述漂移区一表面上的基区；位于所述基区背离所述漂移区一侧的第一常规沟槽和第二常规沟槽，所述第一常规沟槽和第二常规沟槽均延伸至所述漂移区，所述第一常规沟槽内设置有第一常规栅层，所述第二常规沟槽内设置有第二常规栅层，且所述第一常规沟槽的内壁与第一常规栅层之间和所述第二常规沟槽的内壁与第二常规栅层之间均设置有一第一栅氧化层；以及，位于所述第一常规沟槽和第二常规沟槽之间、且形成于所述基区背离所述漂移区一侧内的源极区，其中，通过确定所述源极区的面积以确定所述沟槽栅IGBT的饱和电流大小。
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