[实用新型]Si基GaAs器件有效
| 申请号： | 201520897542.3 | 申请日： | 2015-11-11 |
| 公开（公告）号： | CN205092245U | 公开（公告）日： | 2016-03-16 |
| 发明（设计）人： | 陈一峰 | 申请（专利权）人： | 成都嘉石科技有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/20 | 分类号： | H01L29/20;H01L21/822;H01L29/778 |
| 代理公司： | 成都华风专利事务所(普通合伙) 51223 | 代理人： | 胡川 |
| 地址： | 610000 四川省成都市*** | 国省代码： | 四川;51 |
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| 摘要： | 本实用新型提供了一种Si基GaAs器件。其包括：包括Si基片和外延片，外延片包括横向生长形成的GaAs成核层和位于GaAs成核层上的GaAs器件结构，Si基片上具有与外延片的尺寸相匹配的集成区域，Si基片在集成区域处减薄一定厚度，且集成区域内具有多个贯穿Si基片的接地孔，外延片集成在集成区域内，接地孔中电镀有铜。本实用新型能够实现Si基片与GaAs器件的集成。 | ||
| 搜索关键词： | si gaas 器件 | ||
【主权项】：
一种Si基GaAs器件，其特征在于，所述Si基GaAs器件包括Si基片和外延片，所述外延片包括横向生长形成的GaAs成核层和位于所述GaAs成核层上的GaAs器件结构，所述Si基片上具有与所述外延片的尺寸相匹配的集成区域，所述Si基片在所述集成区域处减薄一定厚度，且所述集成区域内具有多个贯穿所述Si基片的接地孔，所述外延片集成在所述集成区域内，所述接地孔中电镀有铜。
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