[实用新型]一种带静电液雾清洗装置有效
申请号: | 201520899117.8 | 申请日: | 2015-11-11 |
公开(公告)号: | CN205092223U | 公开(公告)日: | 2016-03-16 |
发明(设计)人: | 冯晓敏;吴仪 | 申请(专利权)人: | 北京七星华创电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L21/67 | 分类号: | H01L21/67 |
代理公司: | 上海天辰知识产权代理事务所(特殊普通合伙) 31275 | 代理人: | 陶金龙;张磊 |
地址: | 100016 *** | 国省代码: | 北京;11 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种带静电液雾清洗装置,在清洗装置的本体内设有一液体流道,环绕液体流道设有气体缓冲腔,液体流道连通本体下端面设有的液体出口,气体缓冲腔连通本体下端面环绕液体出口密布设置的多数个气体出口,液体流道、气体缓冲腔各自连通本体上设有的液体进口、气体进口,可通过液体进口通入清洗液体,经液体流道从液体出口喷出,形成雾化液滴,同时通过气体进口通入带电离子风,经气体缓冲腔从气体出口喷出,与雾化液滴接触使其带电,从而可以对其下方晶圆进行冲洗并去除晶圆表面的静电。 | ||
搜索关键词: | 一种 静电 清洗 装置 | ||
【主权项】:
一种带静电液雾清洗装置,其特征在于,包括一本体,所述本体内设有一液体流道,环绕液体流道设有气体缓冲腔,所述液体流道连通本体下端面设有的液体出口,所述气体缓冲腔连通本体下端面环绕液体出口密布设置的多数个气体出口,所述液体流道、气体缓冲腔各自连通本体上设有的液体进口、气体进口;其中,通过由液体进口通入清洗液体,经液体流道从液体出口喷出,形成雾化液滴,由气体进口通入带电离子风,经气体缓冲腔从气体出口喷出,接触使雾化液滴带电,以对其下方晶圆进行冲洗及去除晶圆表面的静电。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L21-00 专门适用于制造或处理半导体或固体器件或其部件的方法或设备
H01L21-02 .半导体器件或其部件的制造或处理
H01L21-64 .非专门适用于包含在H01L 31/00至H01L 51/00各组的单个器件所使用的除半导体器件之外的固体器件或其部件的制造或处理
H01L21-66 .在制造或处理过程中的测试或测量
H01L21-67 .专门适用于在制造或处理过程中处理半导体或电固体器件的装置;专门适合于在半导体或电固体器件或部件的制造或处理过程中处理晶片的装置
H01L21-70 .由在一共用基片内或其上形成的多个固态组件或集成电路组成的器件或其部件的制造或处理;集成电路器件或其特殊部件的制造