[实用新型]一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件有效

专利信息
申请号: 201520913208.2 申请日: 2015-11-17
公开(公告)号: CN205428896U 公开(公告)日: 2016-08-03
发明(设计)人: 刘鹏;杨成标;任丽;汝严;徐娇玉;黄俊;吕晨襄 申请(专利权)人: 湖北台基半导体股份有限公司
主分类号: H01L23/049 分类号: H01L23/049;H01L23/488
代理公司: 襄阳嘉琛知识产权事务所 42217 代理人: 严崇姚
地址: 441021 湖*** 国省代码: 湖北;42
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摘要: 实用新型的名称为一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件。属于功率半导体器件技术领域。它主要是解决现有凸台式管壳功率半导体器件存在装配难度大、装配失误极易使芯片受力不均而失效和不利于器件及组件小型化的问题。它的主要特征是:包括下封装阀栏、下陶瓷环和阳极导电层、固定薄膜、芯片、压块、阴极导电层、上陶瓷环和上封装阀栏;所述的阴极导电层、阳极导电层的中央设有形状相同的凹形台面;下封装阀栏、上封装阀栏、阴极导电层和阳极导电层材质为无氧铜,表面镀有镍层。本实用新型具有厚度薄、重量轻、且安装简便、封装安全的特点,主要用于各类晶闸管和整流管等功率半导体器件。
搜索关键词: 一种 管壳 封装 功率 半导体器件
【主权项】:
一种凹台管壳冷压封装功率半导体器件,包括下封接件(1)、固定薄膜(2)、芯片(3)、压块(4)和上封接件(7),上封接件(7)包括阴极导电层、上陶瓷环和上封装阀栏,下封接件(1)包括下封装阀栏、下陶瓷环和阳极导电层,其特征在于:还包括门极引线(5)和套装在门极引线(5)外的四氟套管(6);所述的芯片(3)为功率晶闸管、整流管芯片;所述的阴极导电层、阳极导电层的中央设有形状相同的凹形台面;下封装阀栏、上封装阀栏、阴极导电层和阳极导电层材质为无氧铜,表面镀有镍层。
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