[实用新型]一种集成阵列式汽车大灯LED芯片有效
申请号: | 201520921398.2 | 申请日: | 2015-11-18 |
公开(公告)号: | CN205140984U | 公开(公告)日: | 2016-04-06 |
发明(设计)人: | 张伟;孙智江;贾辰宇;夏健;沙东升 | 申请(专利权)人: | 海迪科(南通)光电科技有限公司 |
主分类号: | H01L27/15 | 分类号: | H01L27/15;H01L33/62 |
代理公司: | 北京一格知识产权代理事务所(普通合伙) 11316 | 代理人: | 滑春生 |
地址: | 226500 江苏*** | 国省代码: | 江苏;32 |
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摘要: | 本实用新型涉及一种集成阵列式汽车大灯LED芯片,包括IC印刷电路基板和单晶片,IC印刷电路基板划分为左转区、上远光区、下近光区和右转区,各区域分别具有一个独立的且可与多个单颗芯粒连接实现串联的区域串联电路;单晶片包括蓝宝石衬底、外延N型GaN层、量子阱层、外延P型GaN层、ITO导电层、银反射镜层、P电极和N电极,且单晶片上刻蚀有若干道将单晶片分隔成若干个独立的单颗芯粒的隔离槽;所述单晶片倒装在IC印刷电路基板表面。本实用新型的优点在于:本实用新型中的结构在进行印刷电路与芯粒的贴合时无需裂片,效率高且不易错位,良品率得到大幅提升,用户在后期使用维护中可直接整个更换,维护更加方便快捷。 | ||
搜索关键词: | 一种 集成 阵列 汽车 大灯 led 芯片 | ||
【主权项】:
一种集成阵列式汽车大灯LED芯片,其特征在于:包括一IC印刷电路基板,该IC印刷电路基板自左向右依次划分为左转区、远近光区和右转区,远近光区分为上远光区和下近光区;所述左转区、上远光区、下近光区和右转区分别具有一个独立的且可与多个单颗芯粒连接实现串联的区域串联电路;一单晶片,该单晶片包括蓝宝石衬底、外延N型GaN层、量子阱层、外延P型GaN层、ITO导电层、银反射镜层、P电极和N电极,所述蓝宝石衬底表面自下而上依次生长外延N型GaN层、量子阱层和外延P型GaN层,所述外延P型GaN层的上表面自下而上依次蒸镀有ITO导电层和银反射镜层;所述单晶片上刻蚀有若干道自银反射镜层向下延伸至蓝宝石衬底上表面的隔离槽,所述各隔离槽将单晶片分隔成若干个独立的单颗芯粒,并在各单颗芯粒的银反射镜层上蒸镀P电极,在各单颗芯粒的芯粒边缘刻蚀有一从银反射镜层自上而下依次延伸至外延N型GaN层的电极槽,在电极槽内蒸镀与P电极齐平的N电极;所述单晶片倒装在IC印刷电路基板表面,且各单个芯粒分别对应贴合在IC印刷电路基板上的各区域串联电路中。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
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H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的