[实用新型]一种用于MOCVD反应腔室的盘体温度控制装置有效
申请号: | 201520923950.1 | 申请日: | 2015-11-19 |
公开(公告)号: | CN205258604U | 公开(公告)日: | 2016-05-25 |
发明(设计)人: | 方聪;靳恺;杨翠柏;张杨;张露;王雷 | 申请(专利权)人: | 中山德华芯片技术有限公司 |
主分类号: | C23C16/52 | 分类号: | C23C16/52;C30B25/16 |
代理公司: | 广州市华学知识产权代理有限公司 44245 | 代理人: | 梁莹 |
地址: | 528437 广东省中山*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种用于MOCVD反应腔室的盘体温度控制装置,包括:循环水管,螺旋盘绕在MOCVD反应腔室的底盘上;循环泵,设置在MOCVD反应腔室外,与循环水管连接,使水在循环水管的管路中不断循环,从而形成循环水回路;调节阀,装于循环水管上,用于控制冷却水进入循环水管的进水量;热电偶,装于MOCVD反应腔室的底盘上,用于温度检测;温度控制器,用于接收热电偶的检测信号,而后输出控制信号给调节阀,调节阀接收控制信号并实时调整阀门开度,从而控制冷却水进水量。本实用新型通过对底盘温度的精确控制,减少了工艺气体从上向下流动的过程中P(磷)等颗粒在底盘的沉积,从而降低反应腔室的清理频率,延长了机台的连续工作时间,提高生产效率。 | ||
搜索关键词: | 一种 用于 mocvd 反应 体温 控制 装置 | ||
【主权项】:
一种用于MOCVD反应腔室的盘体温度控制装置,其特征在于,包括:循环水管,螺旋盘绕在MOCVD反应腔室的底盘上;循环泵,设置在MOCVD反应腔室外,与所述循环水管连接,使水在循环水管的管路中不断循环,从而形成循环水回路;调节阀,装于所述循环水管上,用于控制冷却水进入循环水管的进水量;热电偶,装于MOCVD反应腔室的底盘上,用于温度检测;温度控制器,用于接收所述热电偶的检测信号,而后输出控制信号给所述调节阀,所述调节阀接收控制信号并实时调整阀门开度,从而控制冷却水进水量。
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C23 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面化学处理;金属材料的扩散处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆;金属材料腐蚀或积垢的一般抑制
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的
C23C 对金属材料的镀覆;用金属材料对材料的镀覆;表面扩散法,化学转化或置换法的金属材料表面处理;真空蒸发法、溅射法、离子注入法或化学气相沉积法的一般镀覆
C23C16-00 通过气态化合物分解且表面材料的反应产物不留存于镀层中的化学镀覆,例如化学气相沉积
C23C16-01 .在临时基体上,例如在随后通过浸蚀除去的基体上
C23C16-02 .待镀材料的预处理
C23C16-04 .局部表面上的镀覆,例如使用掩蔽物的
C23C16-06 .以金属材料的沉积为特征的
C23C16-22 .以沉积金属材料以外之无机材料为特征的