[实用新型]零温度系数可调电压基准源有效

专利信息
申请号: 201520925739.3 申请日: 2015-11-19
公开(公告)号: CN205176717U 公开(公告)日: 2016-04-20
发明(设计)人: 李亮 申请(专利权)人: 苏州市职业大学
主分类号: G05F1/56 分类号: G05F1/56
代理公司: 苏州铭浩知识产权代理事务所(普通合伙) 32246 代理人: 王军
地址: 215104 江苏省苏州市吴中*** 国省代码: 江苏;32
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摘要: 实用新型公开一种零温度系数可调电压基准源,为使可调电阻R2的输出基准电压不随温度变化而变化,设计正负温度系数的基准电流源I1和I2,PMOS管M7、M8构成共源共栅电流源I1镜像正温度系数电流源,PMOS管M15、M16构成共源共栅电流源I2镜像正温度系数电流源,电流源I1的输出由PMOS管M8漏极输出,电流源I2的输出由PMOS管M16漏极输出,M8与M16的漏极相连实现零温度系数基准电流IREF,正负温度系数的电流源I1和I2以适当的权重相加。零温度系数可调电压基准源REGV由零温度系数电流源IREF加可调电阻R2构成,PMOS晶体管M8和M16的漏极相连再与电阻R2一端相连,R2另一端接地。通过上述方式,本实用新型能够获得零温度系数可调电压基准源,解决只能产生固定带隙基准电压的局限性。
搜索关键词: 温度 系数 可调 电压 基准
【主权项】:
一种零温度系数可调电压基准源,其特征在于,包括:正温度系数电流源产生电路、负温度系数电流源产生电路和可调电阻R2;所述正温度系数电流源产生电路包括PMOS晶体管M7、M8和双极型晶体管Q1、Q2;工作在不同电流下的双极型晶体管Q1、Q2的基极‑发射极电压之间的差值与绝对温度成正比,利用电流镜电路获得与温度成正比的由PMOS晶体管M7、M8构成的正温度系数电流源,PMOS晶体管M7、M8构成共源共栅电流源I1镜像正温度系数电流源;所述负温度系数电流源产生电路包括PMOS晶体管M15、M16和双极型晶体管Q3;双极晶体管Q3的基极‑发射极电压与绝对温度成反比,利用电流镜电路获得与温度成反比的由PMOS晶体管M15、M16构成的负温度系数电流源,PMOS晶体管M15、M16构成共源共栅电流源I2镜像负温度系数电流源;电流源I1的输出由PMOS晶体管M8漏极输出,电流源I2的输出由PMOS晶体管M16漏极输出,PMOS晶体管M8与M16的漏极相连实现零温度系数基准电流IREF;电流源I1与电流源I2以适当的权重相加,使得成立,得到具有零温度系数的电流基准;PMOS晶体管M8与M16的漏极相连再与可调电阻R2的一端相连,可调电阻R2的另一端接地。
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