[实用新型]一种高压整流二极管有效
| 申请号： | 201520928435.2 | 申请日： | 2015-11-20 |
| 公开（公告）号： | CN205428946U | 公开（公告）日： | 2016-08-03 |
| 发明（设计）人： | 崔峰敏 | 申请（专利权）人： | 傲迪特半导体（南京）有限公司 |
| 主分类号： | H01L29/861 | 分类号： | H01L29/861;H01L29/06 |
| 代理公司： | 江苏致邦律师事务所 32230 | 代理人： | 樊文红 |
| 地址： | 210034 江苏*** | 国省代码： | 江苏;32 |
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| 摘要： | 一种高压整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，厚度为252±15μm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角正方体状，所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有高掺杂P型硅基双环结构，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管（CNT）层，所述碳纳米管（CNT）层、高掺杂P型硅基区和高掺杂N型硅发射区上沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述电极外设有保护膜。本实用新型尺寸小，反向击穿电压高，正向压降低，稳定性好。 | ||
| 搜索关键词： | 一种 高压 整流二极管 | ||
【主权项】：
一种高压整流二极管，硅晶片尺寸为3.3mm×3.3mm，低掺杂的N型硅衬底上设有高掺杂P型硅基区，形成PN结，所述低掺杂的N型硅衬底呈圆角正方体状，N型硅衬底表面沉积金属Al作为阳极，N型硅衬底的背面沉积金属Ag作为阴极，所述阳极和阴极外设有保护膜，其特征在于，所述N型硅衬底、高掺杂P型硅基区、高掺杂P型硅基环和高掺杂N型硅发射区上有碳纳米管CNT层；所述N型硅衬底上有3个环形结构，外环为高掺杂N型硅发射区，高掺杂P型硅基区和外环高掺杂N型硅发射区中间有高掺杂P型硅基双环结构，环形结构曲率231μm，外环高掺杂N型硅发射区宽度50μm，内硅基双环宽度15μm。
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