[实用新型]一种半导体器件顶层金属的终端结构有效
申请号: | 201520947903.0 | 申请日: | 2015-11-25 |
公开(公告)号: | CN205385022U | 公开(公告)日: | 2016-07-13 |
发明(设计)人: | 张瑞丽 | 申请(专利权)人: | 杭州立昂微电子股份有限公司 |
主分类号: | H01L27/02 | 分类号: | H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/311;H01L21/82 |
代理公司: | 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 | 代理人: | 张宇娟;代转嫚 |
地址: | 310018 浙江省杭州*** | 国省代码: | 浙江;33 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种半导体器件顶层金属的终端结构,其中半导体器件包括实现半导体器件功能的芯片区域、围绕芯片区域的划片道、从芯片区域延伸至划片道的绝缘介质层,以及顶层金属;其中划片道为沟槽结构,该沟槽在外延层前表面开槽而设置,其沟槽侧壁位于划片道与芯片区域的交界处,即形成了本实用新型的顶层金属的终端。本实用新型所形成的顶层金属的终端结构,其顶层金属的腐蚀界面形貌易控制,能够形成陡峭的腐蚀边界;且该结构设计使得顶层金属光刻和腐蚀的工艺窗口增大;还可以缩小划片道以节约成本;同时晶圆在有效管芯边缘的不完整管芯也能够在探针测试时被筛选出来。 | ||
搜索关键词: | 一种 半导体器件 顶层 金属 终端 结构 | ||
【主权项】:
一种半导体器件顶层金属的终端结构,所述半导体器件包括:实现半导体器件功能的芯片区域;以及围绕芯片区域的划片道;芯片区域和划片道形成在半导体基板前表面,所述半导体基板包括衬底及在衬底上形成的外延层;所述半导体器件还包括绝缘介质层,绝缘介质层从芯片区域延伸至划片道并覆盖划片道的表面;所述半导体器件还包括覆盖于芯片区域表面的顶层金属;其特征在于:划片道为沟槽结构,即在所述划片道开设有划片道沟槽,所述划片道沟槽通过在位于划片道区域的外延层前表面开槽而设置;所述划片道沟槽侧壁位于划片道与芯片区域的交界处,即所述顶层金属的终端。
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H01 基本电气元件
H01L 半导体器件;其他类目中不包括的电固体器件
H01L27-00 由在一个共用衬底内或其上形成的多个半导体或其他固态组件组成的器件
H01L27-01 .只包括有在一公共绝缘衬底上形成的无源薄膜或厚膜元件的器件
H01L27-02 .包括有专门适用于整流、振荡、放大或切换的半导体组件并且至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的;包括至少有一个跃变势垒或者表面势垒的无源集成电路单元的
H01L27-14 . 包括有对红外辐射、光、较短波长的电磁辐射或者微粒子辐射并且专门适用于把这样的辐射能转换为电能的,或适用于通过这样的辐射控制电能的半导体组件的
H01L27-15 .包括专门适用于光发射并且包括至少有一个电位跃变势垒或者表面势垒的半导体组件
H01L27-16 .包括含有或不含有不同材料结点的热电元件的;包括有热磁组件的
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