[实用新型]一种半导体器件顶层金属的终端结构有效

专利信息
申请号: 201520947903.0 申请日: 2015-11-25
公开(公告)号: CN205385022U 公开(公告)日: 2016-07-13
发明(设计)人: 张瑞丽 申请(专利权)人: 杭州立昂微电子股份有限公司
主分类号: H01L27/02 分类号: H01L27/02;H01L29/78;H01L29/06;H01L21/311;H01L21/82
代理公司: 杭州宇信知识产权代理事务所(普通合伙) 33231 代理人: 张宇娟;代转嫚
地址: 310018 浙江省杭州*** 国省代码: 浙江;33
权利要求书: 查看更多 说明书: 查看更多
摘要: 实用新型公开了一种半导体器件顶层金属的终端结构,其中半导体器件包括实现半导体器件功能的芯片区域、围绕芯片区域的划片道、从芯片区域延伸至划片道的绝缘介质层,以及顶层金属;其中划片道为沟槽结构,该沟槽在外延层前表面开槽而设置,其沟槽侧壁位于划片道与芯片区域的交界处,即形成了本实用新型的顶层金属的终端。本实用新型所形成的顶层金属的终端结构,其顶层金属的腐蚀界面形貌易控制,能够形成陡峭的腐蚀边界;且该结构设计使得顶层金属光刻和腐蚀的工艺窗口增大;还可以缩小划片道以节约成本;同时晶圆在有效管芯边缘的不完整管芯也能够在探针测试时被筛选出来。
搜索关键词: 一种 半导体器件 顶层 金属 终端 结构
【主权项】:
一种半导体器件顶层金属的终端结构,所述半导体器件包括:实现半导体器件功能的芯片区域;以及围绕芯片区域的划片道;芯片区域和划片道形成在半导体基板前表面,所述半导体基板包括衬底及在衬底上形成的外延层;所述半导体器件还包括绝缘介质层,绝缘介质层从芯片区域延伸至划片道并覆盖划片道的表面;所述半导体器件还包括覆盖于芯片区域表面的顶层金属;其特征在于:划片道为沟槽结构,即在所述划片道开设有划片道沟槽,所述划片道沟槽通过在位于划片道区域的外延层前表面开槽而设置;所述划片道沟槽侧壁位于划片道与芯片区域的交界处,即所述顶层金属的终端。
下载完整专利技术内容需要扣除积分,VIP会员可以免费下载。

该专利技术资料仅供研究查看技术是否侵权等信息,商用须获得专利权人授权。该专利全部权利属于杭州立昂微电子股份有限公司,未经杭州立昂微电子股份有限公司许可,擅自商用是侵权行为。如果您想购买此专利、获得商业授权和技术合作,请联系【客服

本文链接:http://www.vipzhuanli.com/patent/201520947903.0/,转载请声明来源钻瓜专利网。

×

专利文献下载

说明:

1、专利原文基于中国国家知识产权局专利说明书;

2、支持发明专利 、实用新型专利、外观设计专利(升级中);

3、专利数据每周两次同步更新,支持Adobe PDF格式;

4、内容包括专利技术的结构示意图流程工艺图技术构造图

5、已全新升级为极速版,下载速度显著提升!欢迎使用!

请您登陆后,进行下载,点击【登陆】 【注册】

关于我们 寻求报道 投稿须知 广告合作 版权声明 网站地图 友情链接 企业标识 联系我们

钻瓜专利网在线咨询

周一至周五 9:00-18:00

咨询在线客服咨询在线客服
tel code back_top