[实用新型]一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管有效
申请号: | 201520952973.5 | 申请日: | 2015-11-26 |
公开(公告)号: | CN205428947U | 公开(公告)日: | 2016-08-03 |
发明(设计)人: | 罗开正 | 申请(专利权)人: | 深圳网时代科技有限公司 |
主分类号: | H01L29/861 | 分类号: | H01L29/861;H01L29/06;H01L25/00 |
代理公司: | 深圳市览众联合专利商标事务所(普通合伙) 44357 | 代理人: | 徐炫 |
地址: | 518000 广东省深圳市龙华新*** | 国省代码: | 广东;44 |
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摘要: | 本实用新型公开了一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管,包括发射极端面、P型半导体、N型半导体中的电子,所述发射极端面上端设置着集电极端面;所述集电极端面外部包裹着P型半导体;所述P型半导体端面镶嵌着N型半导体;所述P型半导体中的空穴通过PN结连接着N型半导体中的电子;所述N型半导体中的电子下端设置着电荷的偶极层;所述电荷的偶极层外端面安装有电容;所述电容与芯片本体相连接。本实用新型结构简单、设计合理、操作简便,有效的将芯片晶体管生产实际,实现了晶体管对数据处理,而且生产成本较低,适合运用推广。 | ||
搜索关键词: | 一种 应用于 中端 智能 手机芯片 晶体二极管 | ||
【主权项】:
一种应用于高中端智能手机芯片上的晶体二极管,其特征在于:包括发射极端面、P型半导体、N型半导体中的电子,所述发射极端面上端设置着集电极端面;所述集电极端面外部包裹着P型半导体;所述P型半导体端面镶嵌着N型半导体;所述P型半导体中的空穴通过PN结连接着N型半导体中的电子;所述N型半导体中的电子下端设置着电荷的偶极层;所述电荷的偶极层外端面安装有电容;所述电容与芯片本体相连接;所述芯片本体外端面通过电荷的偶极层与PN结相连接。
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